前面介绍了电子ADP3307ART-3.2产品中经常应用的SMC元器件（包括R、C、L），这些元器件的制造工艺基础均是以厚膜制造的片式电阻和以多层厚膜共烧结工艺制造的独石一体化片式多层瓷介电容器( MLC)。MLC独石化核心技术的飞速发展使MLC性能日趋优异，同时也促进了其他元器件采用该技术，现已涌现出多种性能优异的新型片式元器件，现简介如下。
  2.5.1  片式多层压敏电阻器
  压敏电阻是因电压变化而导致电阻变化的电阻，它的特性可以用下式表示：
    ，=（叫Cf）8式中，U为外加电阻；C和日为常数，口为非线性指数，当a=l时，相当于普通电阻，当日≠1时，电压和电流之间存在非线性。
    传统Zn0压敏电阻因其击穿电压UB或压敏电压较高（大于或等于80V），存在响应速度慢、通流量小、静电容小、噪声吸收性能不足等弱点，不能对高速IC实施有效保护。采用MLC工艺后，已使保护电压下降到4～8V，完全能满足电路低压化的要求。
    西门子和松下公司生产的CN系列1210、1812、2220兰个尺寸规格的片式多层压敏电阻器和CU系列3225、4032等两个尺寸规格的片式单层压敏电阻器的性能比较如表2.42所示，表中SR型和S型分别为有引脚的品种，除响应速度外其他主要性能完全相同。SR和S型的响应速度小于25ns，而CN和CV型均不超过Ins。CN型与CU型的主要性能和最大功
耗曲线比较见表2.43和图2.53。CN系列最大静电容量为3000～24000pF，对提高噪声吸收性能大有益处。