MOSFET与晶体管相比，开关87C51速度快，驱动功率小（栅极不流过电流），所以羟常用作开关电源的开关器件。但是一般来说现在的MOSFET的VGS比VBE大，所以需要的驱动电压比晶体管高。
    本章设计的电路由于输入电压是3V，所以能够驱动MOSFET。从图11.14可以看出当输入电压降低到2V时就不能够驱动MOSFET了。
    因此，在用低输入电压使升压型开关电源工作的场合，需要采用晶体管开关器件。使用晶体管时，如果振荡电路的输出比VBE大，就能够开关，所以理论上只要输入电压大于0. 6V(一VBE)就能够工作。

    图11.17是把图11.6电路中的MOSFET换为晶体管的电路。把Tri换为晶体管，并插入限制基极电流的电阻RB。这样的电路即使只有1节锰电池的输入电压(≈1.5V)也能够充分工作（使74HC14在1.5V下工作是违规的）。但是由于必须流过较大的基极电流，所以电路的效率降低了。
    选择晶体管的方法与使用MOSFET的情况相同。在这个电路中，选择Ic≥420mA，VCE≥20V的器件。图11. 17中使用最大额定值CEO一50V，Ic一2A的2SC3668(东芝)。
    设定基极电阻RB的值要使基极电流能够充分驱动集电极电流。图11.17的电路中，设定基极电流为2.7mA，所以RB=330tQ(≈(1.5V-O.6V)／2.7mA)。