为使电路正常工作所加入的各元件
发布时间:2012/8/18 13:22:02 访问次数:602
C3、C4是OP放大器的电源去UC3458P耦电容器。这里采用C3=C4=lOruF/25V的电解电容器。
C5和C6是防止三端稳压电源发生振荡所接入的电容。三端稳压电源也可以认为是与OP放大器相同的负反馈放太电路，为了不发生振荡同样也需要有电源去耦电容器。这里使用的叠层陶瓷电容器。
R7和R8是防止MOSFET发生振荡的重要电阻。由于MOSFET的栅极输入阻抗非常高，所以给栅极串联一个小的电阻不会产生不利影响。但是在高频范围MOSFET的输入阻抗将降低。而且在某一频率范围往往会成为负阻——其大小是负值的电阻成分，会发生振荡（关于负阻与振荡的关系将在第14章介绍）。
在FET的栅极插入电阻的作用就是抵消负阻成分防止振荡的发生。这个电阻通常取数十至数百欧。在这里取值为R7 =R8 =lOOfl。
C7的作用是对Tr1．交流旁路，使得从Tr2、Tr3的栅极看进去的阻抗相等。这样能够使MOSFET的输入电容与前级输出阻抗形成的低通滤波器的截止频率在Tr：一侧和Tr3 -侧基本相等。其结果，在高频范围能够使Tr2和Tr。正确地互补工作，改善失真率。
C7的值愈大愈好。不过过于大的话电容器的体积也会增大，所以取C7=0.lUF的薄层电容器。
C5和C6是防止三端稳压电源发生振荡所接入的电容。三端稳压电源也可以认为是与OP放大器相同的负反馈放太电路，为了不发生振荡同样也需要有电源去耦电容器。这里使用的叠层陶瓷电容器。
R7和R8是防止MOSFET发生振荡的重要电阻。由于MOSFET的栅极输入阻抗非常高，所以给栅极串联一个小的电阻不会产生不利影响。但是在高频范围MOSFET的输入阻抗将降低。而且在某一频率范围往往会成为负阻——其大小是负值的电阻成分，会发生振荡（关于负阻与振荡的关系将在第14章介绍）。
在FET的栅极插入电阻的作用就是抵消负阻成分防止振荡的发生。这个电阻通常取数十至数百欧。在这里取值为R7 =R8 =lOOfl。
C7的作用是对Tr1．交流旁路，使得从Tr2、Tr3的栅极看进去的阻抗相等。这样能够使MOSFET的输入电容与前级输出阻抗形成的低通滤波器的截止频率在Tr：一侧和Tr3 -侧基本相等。其结果，在高频范围能够使Tr2和Tr。正确地互补工作，改善失真率。
C7的值愈大愈好。不过过于大的话电容器的体积也会增大，所以取C7=0.lUF的薄层电容器。
C3、C4是OP放大器的电源去UC3458P耦电容器。这里采用C3=C4=lOruF/25V的电解电容器。
C5和C6是防止三端稳压电源发生振荡所接入的电容。三端稳压电源也可以认为是与OP放大器相同的负反馈放太电路，为了不发生振荡同样也需要有电源去耦电容器。这里使用的叠层陶瓷电容器。
R7和R8是防止MOSFET发生振荡的重要电阻。由于MOSFET的栅极输入阻抗非常高，所以给栅极串联一个小的电阻不会产生不利影响。但是在高频范围MOSFET的输入阻抗将降低。而且在某一频率范围往往会成为负阻——其大小是负值的电阻成分，会发生振荡（关于负阻与振荡的关系将在第14章介绍）。
在FET的栅极插入电阻的作用就是抵消负阻成分防止振荡的发生。这个电阻通常取数十至数百欧。在这里取值为R7 =R8 =lOOfl。
C7的作用是对Tr1．交流旁路，使得从Tr2、Tr3的栅极看进去的阻抗相等。这样能够使MOSFET的输入电容与前级输出阻抗形成的低通滤波器的截止频率在Tr：一侧和Tr3 -侧基本相等。其结果，在高频范围能够使Tr2和Tr。正确地互补工作，改善失真率。
C7的值愈大愈好。不过过于大的话电容器的体积也会增大，所以取C7=0.lUF的薄层电容器。
C5和C6是防止三端稳压电源发生振荡所接入的电容。三端稳压电源也可以认为是与OP放大器相同的负反馈放太电路，为了不发生振荡同样也需要有电源去耦电容器。这里使用的叠层陶瓷电容器。
R7和R8是防止MOSFET发生振荡的重要电阻。由于MOSFET的栅极输入阻抗非常高，所以给栅极串联一个小的电阻不会产生不利影响。但是在高频范围MOSFET的输入阻抗将降低。而且在某一频率范围往往会成为负阻——其大小是负值的电阻成分，会发生振荡（关于负阻与振荡的关系将在第14章介绍）。
在FET的栅极插入电阻的作用就是抵消负阻成分防止振荡的发生。这个电阻通常取数十至数百欧。在这里取值为R7 =R8 =lOOfl。
C7的作用是对Tr1．交流旁路，使得从Tr2、Tr3的栅极看进去的阻抗相等。这样能够使MOSFET的输入电容与前级输出阻抗形成的低通滤波器的截止频率在Tr：一侧和Tr3 -侧基本相等。其结果，在高频范围能够使Tr2和Tr。正确地互补工作，改善失真率。
C7的值愈大愈好。不过过于大的话电容器的体积也会增大，所以取C7=0.lUF的薄层电容器。
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