选择温度补偿用晶体管
发布时间:2012/8/18 13:10:38 访问次数:615
下面确定温度补偿用TL7705ACP的晶体管Tri。只要这个晶体管集电极电流Ic的最大额定值在6. 5mA以上（Tr4或Trs的IDSS的最大值），集电极一发射极电压的最大额定值在几伏以上（一MOSFET的栅极一栅极间的偏置电压值，关于这个值将在后面将作说明），什么样的器件都可以。
考虑到与Trz、Tr3的热耦合，选用T0126全模封装——金属部分不暴露出的绝缘型封装的低频中功率放大用晶体管2SC3423(东芝)。表5.3列出了2SC3423的特陛。
这个电路中流过基极侧(Rs、VRi、R6)的电流i。由Rs决定（因为Rs的电压降是Tri的VBE）。为了可以忽略基极电流，取毛大于集电极电流的1/10。这里取IB=-0.5mA(集电极电流为从电流源的设定电流1.2～6. 5mA扣除这个0.5mA的值)。所以．Rs =1.2kfl(约0.6V/O.5mA)。
考虑到与Trz、Tr3的热耦合，选用T0126全模封装——金属部分不暴露出的绝缘型封装的低频中功率放大用晶体管2SC3423(东芝)。表5.3列出了2SC3423的特陛。
这个电路中流过基极侧(Rs、VRi、R6)的电流i。由Rs决定（因为Rs的电压降是Tri的VBE）。为了可以忽略基极电流，取毛大于集电极电流的1/10。这里取IB=-0.5mA(集电极电流为从电流源的设定电流1.2～6. 5mA扣除这个0.5mA的值)。所以．Rs =1.2kfl(约0.6V/O.5mA)。
下面确定温度补偿用TL7705ACP的晶体管Tri。只要这个晶体管集电极电流Ic的最大额定值在6. 5mA以上（Tr4或Trs的IDSS的最大值），集电极一发射极电压的最大额定值在几伏以上（一MOSFET的栅极一栅极间的偏置电压值，关于这个值将在后面将作说明），什么样的器件都可以。
考虑到与Trz、Tr3的热耦合，选用T0126全模封装——金属部分不暴露出的绝缘型封装的低频中功率放大用晶体管2SC3423(东芝)。表5.3列出了2SC3423的特陛。
这个电路中流过基极侧(Rs、VRi、R6)的电流i。由Rs决定（因为Rs的电压降是Tri的VBE）。为了可以忽略基极电流，取毛大于集电极电流的1/10。这里取IB=-0.5mA(集电极电流为从电流源的设定电流1.2～6. 5mA扣除这个0.5mA的值)。所以．Rs =1.2kfl(约0.6V/O.5mA)。
考虑到与Trz、Tr3的热耦合，选用T0126全模封装——金属部分不暴露出的绝缘型封装的低频中功率放大用晶体管2SC3423(东芝)。表5.3列出了2SC3423的特陛。
这个电路中流过基极侧(Rs、VRi、R6)的电流i。由Rs决定（因为Rs的电压降是Tri的VBE）。为了可以忽略基极电流，取毛大于集电极电流的1/10。这里取IB=-0.5mA(集电极电流为从电流源的设定电流1.2～6. 5mA扣除这个0.5mA的值)。所以．Rs =1.2kfl(约0.6V/O.5mA)。
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