电路的设计首先求光耦合器集SN74HC175N电极电阻Rc的值。光祸合器的集电极中，即使晶体管处于截止状态仍然有弘A量级的暗电流流动。所以如果R。值不是小到某种程度的话，就会降低晶体管在截止状态的输出电压。这里设定Rc=4.7kQ，所以IC≈lmA。
    其次是确定流过LED的电流IF。这需要在考虑CTR后才能求得。6N136的CTR是20%（根据数据表），所以可以设定IF=5mA(≈lmA/20%)。由于CTR随温度和使用时间的变化较大，所以通常留有2至数十倍的余量。图8.28的电路中，留有3倍的余量，设定IF=15mA。

    LED的正向电压降VF是1.5V（根据数据表），所以RL=220Q(约为(5V-1.5V)／15mA)(假定CMOS倒相器的输出电压是OV)。由于流过LED的电流大(15mA)，所以可以并联接续CMOS倒相器，以提高负载的驱动能力。
    图8.28的电路中是用CMOS倒相器驱动LED的阴极，所以当输入处于H电平时，光耦合器的晶体管处于导通状态，输出H电平。希望反逻辑时，如图8.29所示可以用CMOS倒相器驱动LED的阳极（这样一来，当输入为H电平时，光耦合器的晶体管处于截止状态，所以输出L电乎）。

    图8.30比较特殊，是一例将光耦合器用于恒压电源的过电流检出的电路。这个电路用串联插入的3Q电阻R，检出恒压电源的输出电流，通过它上面的电压降使光耦合器PC812（夏普）的LED发光，从而获得检出信号。图8.30中的电路常数是当电源的输出电流为500mA时过电流检出输出为L电平。但是，由于光耦合器的CTR随温度和使用时间的变化大，所以输出电流的检出值不能够准确地设定为500mA(即使通过调整R，正确地设定了输出电流，由于环境湿度的变化或者长期使用的原因也会使CTR变化，从而偏离设定值)。