图3.26是将输入端接GND时LM386N-3测得的输出端噪声频谱(o～iokHz)。
    在千赫附近，为-llOdBm(换算为电压约为0.7tiV)。作为绝对值这个值是非常小昀，所以噪声很小。
    图3.27是将图3.1电路中的2SK184换为2SK2458进行测定得到的噪声特性。图3.27的值与图3.26基本相同，由此可以看出只要是单管放大器，FET与双极晶体管的噪声特性基本相同。

           
    从图3.26还可看出低频附近的噪声较大。这应该是实验中所使用的+15V电源（三端调整器）引起的。
    因此，如图3.28历示，在电源与RD之间简单地接入RC滤波器以除去电源的噪声。
    图3.29是这时的噪声特性。可以看到由于除去了电源的噪声，低频附近噪声显著被减少了。
    由于源极接地放大电路是将取出输出的电阻RD直接与电源连接的，所以即使电源有噪声，这个噪声通过RD流向输出端。
    所以，当希望降低源极接地放大电路的噪声时，还应该注意电源的噪声。图3.28中那种简单的滤波器还是有效的。