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高频截止频率

发布时间:2012/8/16 19:41:29 访问次数:1275

    图3.16是高频范围电压增益和LM78L05ACZ相位的频率特性(lOOkHz~lOOMHz)。可以看出,增益随着频率的上升从9dB逐渐下降。同时相位也从180。(反相)逐渐变为O。(同相)。(在高频测定中,使用的是将信号发生器与振幅。相位计组合起来的网络分析器,能够在1GHz以内准确地测定电压增益和相位特性)

              


    还可以看出,该电路的高频截止频率fCH——放大倍数降低3dB时的频率为5MHz,直到较高的频率都有响应。
    图3.17是图2.2所示的双极晶体管的发射极接地放大电路(AV=5)的频率特性(截止频率为3. 98MHz)。这个电路与设计的FET源极接地电路的增益不同,所以不能简单地进行比较,不过它们还是有大体相同的特性。(是一例晶体管的发射极接地电路的频率特性。截止频率为3.98MHz,与图3.16的电路有相似的特性)

                
  

    图3.16是高频范围电压增益和LM78L05ACZ相位的频率特性(lOOkHz~lOOMHz)。可以看出,增益随着频率的上升从9dB逐渐下降。同时相位也从180。(反相)逐渐变为O。(同相)。(在高频测定中,使用的是将信号发生器与振幅。相位计组合起来的网络分析器,能够在1GHz以内准确地测定电压增益和相位特性)

              


    还可以看出,该电路的高频截止频率fCH——放大倍数降低3dB时的频率为5MHz,直到较高的频率都有响应。
    图3.17是图2.2所示的双极晶体管的发射极接地放大电路(AV=5)的频率特性(截止频率为3. 98MHz)。这个电路与设计的FET源极接地电路的增益不同,所以不能简单地进行比较,不过它们还是有大体相同的特性。(是一例晶体管的发射极接地电路的频率特性。截止频率为3.98MHz,与图3.16的电路有相似的特性)

                
  

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