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半导体器件测量时的注意事项

发布时间:2012/7/25 21:03:22 访问次数:733

    由晶体二极管、晶体三极管、FET(场效应晶体管)、晶闸1N4004管等半导体元器件的规格表中可以了解它们的特性。规格表中,一般给出半导体元器件的最大定额及其电气特性。所谓最大定额是指不至引起半导体元器件性能老化或损坏并维持正常工作的参数的最大限僮。表5.5为晶体三极管2SC2320的最大定额表。使用时,要注意其电压、电流、耗散功率和温度等参数值不应超过最大定额值。集电极最大耗散功率Pc为VCE与Ic的乘积,图5.26中的VCE-IC特性上,用虚线描出了300mW的集电极耗散功率特性。晶体三极管的使用范围必须在虚线的左侧。另外,晶体三极管是有极性的半导体元件,必须区别NPN型和PNP型的不同,正确连接B(基极)、E(发射极)和C(集电极)各端子。

                    

    由晶体二极管、晶体三极管、FET(场效应晶体管)、晶闸1N4004管等半导体元器件的规格表中可以了解它们的特性。规格表中,一般给出半导体元器件的最大定额及其电气特性。所谓最大定额是指不至引起半导体元器件性能老化或损坏并维持正常工作的参数的最大限僮。表5.5为晶体三极管2SC2320的最大定额表。使用时,要注意其电压、电流、耗散功率和温度等参数值不应超过最大定额值。集电极最大耗散功率Pc为VCE与Ic的乘积,图5.26中的VCE-IC特性上,用虚线描出了300mW的集电极耗散功率特性。晶体三极管的使用范围必须在虚线的左侧。另外,晶体三极管是有极性的半导体元件,必须区别NPN型和PNP型的不同,正确连接B(基极)、E(发射极)和C(集电极)各端子。

                    

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