近年来，电子技术的发展，使得电路GRM1885C1H150JA01D的工作电压越来越低，电流越来越大，低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题，
    开关电源的损耗主要有3部分：功率开关管的损耗、高频变压的损耗、输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快速恢复二极管或超快速恢复二极管导通压降可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管，也会产生不可忽略的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。
    例如，目前电脑CPU普遍采用3.3V乃至1.8V或1.5V的供电电压，所消耗的电流可达20A，此时超快速恢复二极管整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%。即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到电源输出功率的18%～40%，占电源总损耗的60%以上。因此，传统二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源的高效率及小体积的需要，成为制约DC／DC变换器提高效率的瓶颈。
    同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC／DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的楣位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。

    在设计低电压、大电流输出的DC／DC变换器时，采用同步整流技术能显著提高电源效率。对同步整流技术感兴趣的同学可以按照关键词到网上去查找更多的内容。