改善截止隔离的电路
发布时间:2012/6/1 18:53:01 访问次数:531
如图13.13所示，用3个FET构成的T型开SP7650ER-L关能够改善截止隔离特性。这个电路在SW1=SW3=导通，SW2=截止时处于开关接通状态，在SW1=SW。截止，SW2=导通时处于开关断开状态。开关断开时SW2导通，使SW1和SW3的中间点接GND，所以输入信号的泄漏非常少(通过SW1的信号经SW2流入GND)。但是，由于输入输出间串联了SW1和SW3，所以导通电阻是使用1个FET时的2倍。而且各FET必须有各自的驱动电路（电平变换电路），所以电路变得复杂。
如图13.13所示，用3个FET构成的T型开SP7650ER-L关能够改善截止隔离特性。这个电路在SW1=SW3=导通，SW2=截止时处于开关接通状态，在SW1=SW。截止，SW2=导通时处于开关断开状态。开关断开时SW2导通，使SW1和SW3的中间点接GND，所以输入信号的泄漏非常少(通过SW1的信号经SW2流入GND)。但是，由于输入输出间串联了SW1和SW3，所以导通电阻是使用1个FET时的2倍。而且各FET必须有各自的驱动电路（电平变换电路），所以电路变得复杂。
上一篇：截止隔离
上一篇：采用P沟JFET的电路
相关技术资料- 6-1改善截止隔离的电路
公网安备44030402000607
