图9.10是采用P沟JFET的源极跟随器型MSA1105TR1G开关电路。与图9采用N沟器件的电路相比较，电路构成只是把电源和GND调换（注意使用正电源）。
    照片9.8是给图9.10的电路输入1MHz、OV/+5V方波时的输入输出波形。与采用N沟器件的电路一样，输入输出的相位相同，其波形表现出高速动作的源极跟随器电路的性质。

                      
  
    关于输入输出信号的电平，当口i一OV时VO=OV，而vi=+5V时口。一+3.3V(比+5V低了1.7V)。这也是由于P沟JFET所具有的耗尽特性。
    这个电路的基础也是源极跟随器，所以源极电位保持一定的VGS值并追随栅极电位。
    如图9.3(b)所示，对于P沟JFET来说当有漏极电流流过时，源极相对于栅极的电位降低。所以如照片9.8所示，v1=+5V时源极电位比栅极电位低1.7V(指示的电压)。这就是说传输特性曲线上ID与y GS的平衡点是在VGS一1.7V，ID—0.36m(=1.7V/4.7ktl)处。
    当vi—OV时，源极电位也要比栅极电位(一OV)低。不过由于不能低于GND电平，所以源极电位是OV(实际的电路中，如照片9.8所示，其值略高于OV)。