电源电压和晶体管的选定
发布时间:2012/5/25 20:20:22 访问次数:605
视频信号以75Q为终端MSP430F1611IPMR负载。但是振幅约1VP-P，所以即使考虑到晶体管的损耗，电源电压有5V也就足够了。不过还应该考虑到OP放大器用屯源，所以取为±15V。
视频放大器的性能关系到跨阻抗放大部分射极接地电路的性能，所以使用的晶体管应选择CID小、频率特性好、HFE大的器件。
暂且先使用通用的2SA1048BL，2SC2458BL，后面再以高频用器件替代，比较其频率特性。
由发射极电流决定各电阻值
先从容易设计的输出端开始。考虑有多大的电流从输出端流出。当输入为lVp-p时，输出端将是它的2倍，即2VP-P从放大电路看输出端的阻抗是75Q+75C1=150fl。由于加有2VP-P的输出，所以从放大器流出的电流为13.3mAP-P如果认为射极跟随器级晶体管的hFE为100，那么基极电流就是133)uAP-P这样，它的前级跨阻抗放大器的发射极接地电路的集电极电流就是上面基极电流的10倍左右，定为2mA。
确定Rs与R6时要兼顾输入级源极跟随器的IDSS取值。如果这个值过大，将使FET的源极电位过高，最大振幅减小。相反，这个值过小的话，将使漏极电阻变得很小，漏极电流的变化不能够变换为大的电压，降低了跨阻抗。
现在选取的电源电压比较高，为±15V，所以不必过于介意这一点。如果电源电压诋，设计时就需要考虑最大振幅和跨阻抗的问题。这里，取R5与R6的值为1k\f/。
视频放大器的性能关系到跨阻抗放大部分射极接地电路的性能，所以使用的晶体管应选择CID小、频率特性好、HFE大的器件。
暂且先使用通用的2SA1048BL，2SC2458BL，后面再以高频用器件替代，比较其频率特性。
由发射极电流决定各电阻值
先从容易设计的输出端开始。考虑有多大的电流从输出端流出。当输入为lVp-p时，输出端将是它的2倍，即2VP-P从放大电路看输出端的阻抗是75Q+75C1=150fl。由于加有2VP-P的输出，所以从放大器流出的电流为13.3mAP-P如果认为射极跟随器级晶体管的hFE为100，那么基极电流就是133)uAP-P这样，它的前级跨阻抗放大器的发射极接地电路的集电极电流就是上面基极电流的10倍左右，定为2mA。
确定Rs与R6时要兼顾输入级源极跟随器的IDSS取值。如果这个值过大，将使FET的源极电位过高，最大振幅减小。相反，这个值过小的话，将使漏极电阻变得很小，漏极电流的变化不能够变换为大的电压，降低了跨阻抗。
现在选取的电源电压比较高，为±15V，所以不必过于介意这一点。如果电源电压诋，设计时就需要考虑最大振幅和跨阻抗的问题。这里，取R5与R6的值为1k\f/。
视频信号以75Q为终端MSP430F1611IPMR负载。但是振幅约1VP-P，所以即使考虑到晶体管的损耗，电源电压有5V也就足够了。不过还应该考虑到OP放大器用屯源，所以取为±15V。
视频放大器的性能关系到跨阻抗放大部分射极接地电路的性能，所以使用的晶体管应选择CID小、频率特性好、HFE大的器件。
暂且先使用通用的2SA1048BL，2SC2458BL，后面再以高频用器件替代，比较其频率特性。
由发射极电流决定各电阻值
先从容易设计的输出端开始。考虑有多大的电流从输出端流出。当输入为lVp-p时，输出端将是它的2倍，即2VP-P从放大电路看输出端的阻抗是75Q+75C1=150fl。由于加有2VP-P的输出，所以从放大器流出的电流为13.3mAP-P如果认为射极跟随器级晶体管的hFE为100，那么基极电流就是133)uAP-P这样，它的前级跨阻抗放大器的发射极接地电路的集电极电流就是上面基极电流的10倍左右，定为2mA。
确定Rs与R6时要兼顾输入级源极跟随器的IDSS取值。如果这个值过大，将使FET的源极电位过高，最大振幅减小。相反，这个值过小的话，将使漏极电阻变得很小，漏极电流的变化不能够变换为大的电压，降低了跨阻抗。
现在选取的电源电压比较高，为±15V，所以不必过于介意这一点。如果电源电压诋，设计时就需要考虑最大振幅和跨阻抗的问题。这里，取R5与R6的值为1k\f/。
视频放大器的性能关系到跨阻抗放大部分射极接地电路的性能，所以使用的晶体管应选择CID小、频率特性好、HFE大的器件。
暂且先使用通用的2SA1048BL，2SC2458BL，后面再以高频用器件替代，比较其频率特性。
由发射极电流决定各电阻值
先从容易设计的输出端开始。考虑有多大的电流从输出端流出。当输入为lVp-p时，输出端将是它的2倍，即2VP-P从放大电路看输出端的阻抗是75Q+75C1=150fl。由于加有2VP-P的输出，所以从放大器流出的电流为13.3mAP-P如果认为射极跟随器级晶体管的hFE为100，那么基极电流就是133)uAP-P这样，它的前级跨阻抗放大器的发射极接地电路的集电极电流就是上面基极电流的10倍左右，定为2mA。
确定Rs与R6时要兼顾输入级源极跟随器的IDSS取值。如果这个值过大，将使FET的源极电位过高，最大振幅减小。相反，这个值过小的话，将使漏极电阻变得很小，漏极电流的变化不能够变换为大的电压，降低了跨阻抗。
现在选取的电源电压比较高，为±15V，所以不必过于介意这一点。如果电源电压诋，设计时就需要考虑最大振幅和跨阻抗的问题。这里，取R5与R6的值为1k\f/。
相关技术资料- 5-25电源电压和晶体管的选定
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