关于栅一阴放大连接MSP430F1101AIPWR电路的设计方法，在Tri的周围与源极接地放大电路完全相同，在Tr2的周围与栅极接地放大电路完全相同。就是说Tri与Trz的源极电流（一漏极电流）由Tri的栅偏压与源极电阻Rs决定（源极接地放大电路的设计），Trz的源极电位由Tr2的栅偏压决定（栅极接地放大电路的设计）。
    确定栅一阴放大连接的工作点时需要注意的是加在Tri的漏极一源极间的电压有多大。
    图6.15是2SK184的输入电容CiISS与漏极一源极间电压VDS的关系曲线。当VDS小时，CiSS变大，这成为电路频率特性恶化的原因（CiSS是形成低通滤波器的重要因素）。因此，对于一般的JFET应设定VDS在1V以上。图6.14的电路中设定VDS一3.25V。

    不过一般的栅极接地放大电路中栅极是用电容器接地的（图6.1的C5），而图6.14的Tr2的栅极却不是用电容器接地。这是因为连接到Trz的信号源，也就是Tri的阻抗比Trz的栅偏置电路的阻抗大得多（源极接地的漏极阻抗被认为是无穷大），所以栅极接地的电容器可以略去。