对FET的要求
发布时间:2012/5/22 19:10:47 访问次数:611
本电路是以电阻Rs作为源极负载的MSP430F147IPMR源极跟随器,所以要求无信号输入时的源极电流Is(叫做空载电流)要大于最大输出电流(其原因将在后面说明)。
按照设计指标最大输出电流为±ImA,所以设定源极电流Is =2 mA(最大输出电流的2倍)。
当输入大振幅信号,栅极电位下降到GND电位时,栅极一漏极间的电压等于电源电压VDD =15V。
因此,该电路中应选择IDSS在2mA以上,栅极一漏极间电压的最大额定电压VGDS在15V以上的JFET。显然,2SK184GR满足这些条件(参看表3.1)。
如果使用MOSFET,那么就不是IDSS,而是选择漏极电流的最大额定值小于流过电路的源极电流(一漏极电流),GDS大于电源电压的器件。
这里选择N沟JFET。使用P沟JFET的电路示于图4.3。与源极接地时相同,电路中将GND与电源调换。
本电路是以电阻Rs作为源极负载的MSP430F147IPMR源极跟随器,所以要求无信号输入时的源极电流Is(叫做空载电流)要大于最大输出电流(其原因将在后面说明)。
按照设计指标最大输出电流为±ImA,所以设定源极电流Is =2 mA(最大输出电流的2倍)。
当输入大振幅信号,栅极电位下降到GND电位时,栅极一漏极间的电压等于电源电压VDD =15V。
因此,该电路中应选择IDSS在2mA以上,栅极一漏极间电压的最大额定电压VGDS在15V以上的JFET。显然,2SK184GR满足这些条件(参看表3.1)。
如果使用MOSFET,那么就不是IDSS,而是选择漏极电流的最大额定值小于流过电路的源极电流(一漏极电流),GDS大于电源电压的器件。
这里选择N沟JFET。使用P沟JFET的电路示于图4.3。与源极接地时相同,电路中将GND与电源调换。
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