Vg与VS的波形
发布时间:2012/5/20 18:54:16 访问次数:1121
这里我们稍微分析一下用TMS320F28035PNT这两种MOSFET器件2SK241和2SK612替代图2.1电路中的JFET时电路的工作情况。
照片2.9和照片2. 10是这时的栅极电位口。和源极电位铆。的波形(输入电压vi
与照片2.8中相同,即lkHz,0.5Vp-p)。
对于2SK241.如照片2.9所示VGS为-0.5V。这与2SK184的VGS值基本相同。如从图2.13所看到的那样,当漏极电流k为ImA时,VGS还处于负的区域,不是正值。

2SK612的情况如照片2.10所示,VGS为+1. 3V。因为2SK612是增强型器件,所以如从图2. 14所看到的那样,VGS是正值。
这样,即使同一电路中使用结构和电学特性完全不同的FET,都能够很方便地使其正常工作。
但是,对于2SK241和2SK612来说,由于是替换2SK184,它们的工作点与2SK184的工作点(ID =lmA)稍有不同,这时因FET的型号而会导致的VGS不同。实际设计时,根据所使用FET的传输特性求出VGS确定工作点就可以了。
在后面的电路设计一章将对此作详细说明。
照片2.9和照片2. 10是这时的栅极电位口。和源极电位铆。的波形(输入电压vi
与照片2.8中相同,即lkHz,0.5Vp-p)。
对于2SK241.如照片2.9所示VGS为-0.5V。这与2SK184的VGS值基本相同。如从图2.13所看到的那样,当漏极电流k为ImA时,VGS还处于负的区域,不是正值。

2SK612的情况如照片2.10所示,VGS为+1. 3V。因为2SK612是增强型器件,所以如从图2. 14所看到的那样,VGS是正值。
这样,即使同一电路中使用结构和电学特性完全不同的FET,都能够很方便地使其正常工作。
但是,对于2SK241和2SK612来说,由于是替换2SK184,它们的工作点与2SK184的工作点(ID =lmA)稍有不同,这时因FET的型号而会导致的VGS不同。实际设计时,根据所使用FET的传输特性求出VGS确定工作点就可以了。
在后面的电路设计一章将对此作详细说明。
这里我们稍微分析一下用TMS320F28035PNT这两种MOSFET器件2SK241和2SK612替代图2.1电路中的JFET时电路的工作情况。
照片2.9和照片2. 10是这时的栅极电位口。和源极电位铆。的波形(输入电压vi
与照片2.8中相同,即lkHz,0.5Vp-p)。
对于2SK241.如照片2.9所示VGS为-0.5V。这与2SK184的VGS值基本相同。如从图2.13所看到的那样,当漏极电流k为ImA时,VGS还处于负的区域,不是正值。

2SK612的情况如照片2.10所示,VGS为+1. 3V。因为2SK612是增强型器件,所以如从图2. 14所看到的那样,VGS是正值。
这样,即使同一电路中使用结构和电学特性完全不同的FET,都能够很方便地使其正常工作。
但是,对于2SK241和2SK612来说,由于是替换2SK184,它们的工作点与2SK184的工作点(ID =lmA)稍有不同,这时因FET的型号而会导致的VGS不同。实际设计时,根据所使用FET的传输特性求出VGS确定工作点就可以了。
在后面的电路设计一章将对此作详细说明。
照片2.9和照片2. 10是这时的栅极电位口。和源极电位铆。的波形(输入电压vi
与照片2.8中相同,即lkHz,0.5Vp-p)。
对于2SK241.如照片2.9所示VGS为-0.5V。这与2SK184的VGS值基本相同。如从图2.13所看到的那样,当漏极电流k为ImA时,VGS还处于负的区域,不是正值。

2SK612的情况如照片2.10所示,VGS为+1. 3V。因为2SK612是增强型器件,所以如从图2. 14所看到的那样,VGS是正值。
这样,即使同一电路中使用结构和电学特性完全不同的FET,都能够很方便地使其正常工作。
但是,对于2SK241和2SK612来说,由于是替换2SK184,它们的工作点与2SK184的工作点(ID =lmA)稍有不同,这时因FET的型号而会导致的VGS不同。实际设计时,根据所使用FET的传输特性求出VGS确定工作点就可以了。
在后面的电路设计一章将对此作详细说明。
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