对电压增益的讨论
发布时间:2012/5/16 20:44:17 访问次数:591
下面对该电路的电C8051F981压增益进行一下研究。
因发射极电流仅增加了AIE,Tri的基极一发射极间电压V BE1为VBE+AVBE。相反,Tr2的基极一发射极间的电压VBE2,因发射极电流减少了AIE,而为VBE-AVBE。
另一方面,虽然输入信号uI1,是加在Tri的基极与GND之间,但由于Vi2一O,这与在Tri的基极与Trz的基极间输入信号弘,是一样的,VBE1与VBE2的差成为输入电压VI1,那样地进行工作。
总之,设输入电压为E,则VBE1仅增加E/2,VBE2仅减少E/2(VBE1与VBE2之差为E)。
如果发射极电位Ve祓固定,虽然输入信号全部加在输入晶体管的基极一发射极之间,但一个晶体管的V BE -发生变化,则如同看镜子一样,另一个晶体管的VBE也以相同的值朝反方向变化。所以V BE间电压差刚好与输入信号为同一值。所以电路取得平衡。
照片11.8是在照片11.2的输入状态(VI1=50mVP-P,VI2=OV)时的输入信号uI1与发射极电位训。的工作波形(只对交流成分进行观测),VBE1与VBE2都各变化Vil振幅的1/2,所以vE的电位,如以GND为基准来看,则刚好为Vil的一半的大小。
因此,对于一方晶体管而言,VBE的变化量为输入信号的一半。所以电压增益也为一个晶体管作为共发射极电路使用时的
1/2。
下面对该电路的电C8051F981压增益进行一下研究。
因发射极电流仅增加了AIE,Tri的基极一发射极间电压V BE1为VBE+AVBE。相反,Tr2的基极一发射极间的电压VBE2,因发射极电流减少了AIE,而为VBE-AVBE。
另一方面,虽然输入信号uI1,是加在Tri的基极与GND之间,但由于Vi2一O,这与在Tri的基极与Trz的基极间输入信号弘,是一样的,VBE1与VBE2的差成为输入电压VI1,那样地进行工作。
总之,设输入电压为E,则VBE1仅增加E/2,VBE2仅减少E/2(VBE1与VBE2之差为E)。
如果发射极电位Ve祓固定,虽然输入信号全部加在输入晶体管的基极一发射极之间,但一个晶体管的V BE -发生变化,则如同看镜子一样,另一个晶体管的VBE也以相同的值朝反方向变化。所以V BE间电压差刚好与输入信号为同一值。所以电路取得平衡。
照片11.8是在照片11.2的输入状态(VI1=50mVP-P,VI2=OV)时的输入信号uI1与发射极电位训。的工作波形(只对交流成分进行观测),VBE1与VBE2都各变化Vil振幅的1/2,所以vE的电位,如以GND为基准来看,则刚好为Vil的一半的大小。
因此,对于一方晶体管而言,VBE的变化量为输入信号的一半。所以电压增益也为一个晶体管作为共发射极电路使用时的
1/2。
上一篇:对两个输入信号的差进行放大
上一篇:增益为共发射极电路的1/2
热门点击