位置:51电子网 » 技术资料 » 汽车电子

对电压增益的讨论

发布时间:2012/5/16 20:44:17 访问次数:591

    下面对该电路的电C8051F981压增益进行一下研究。
    因发射极电流仅增加了AIE,Tri的基极一发射极间电压V BE1为VBE+AVBE。相反,Tr2的基极一发射极间的电压VBE2,因发射极电流减少了AIE,而为VBE-AVBE。
    另一方面,虽然输入信号uI1,是加在Tri的基极与GND之间,但由于Vi2一O,这与在Tri的基极与Trz的基极间输入信号弘,是一样的,VBE1与VBE2的差成为输入电压VI1,那样地进行工作。
    总之,设输入电压为E,则VBE1仅增加E/2,VBE2仅减少E/2(VBE1与VBE2之差为E)。

                   
   
    如果发射极电位Ve祓固定,虽然输入信号全部加在输入晶体管的基极一发射极之间,但一个晶体管的V BE -发生变化,则如同看镜子一样,另一个晶体管的VBE也以相同的值朝反方向变化。所以V BE间电压差刚好与输入信号为同一值。所以电路取得平衡。
    照片11.8是在照片11.2的输入状态(VI1=50mVP-P,VI2=OV)时的输入信号uI1与发射极电位训。的工作波形(只对交流成分进行观测),VBE1与VBE2都各变化Vil振幅的1/2,所以vE的电位,如以GND为基准来看,则刚好为Vil的一半的大小。
    因此,对于一方晶体管而言,VBE的变化量为输入信号的一半。所以电压增益也为一个晶体管作为共发射极电路使用时的
1/2。

    下面对该电路的电C8051F981压增益进行一下研究。
    因发射极电流仅增加了AIE,Tri的基极一发射极间电压V BE1为VBE+AVBE。相反,Tr2的基极一发射极间的电压VBE2,因发射极电流减少了AIE,而为VBE-AVBE。
    另一方面,虽然输入信号uI1,是加在Tri的基极与GND之间,但由于Vi2一O,这与在Tri的基极与Trz的基极间输入信号弘,是一样的,VBE1与VBE2的差成为输入电压VI1,那样地进行工作。
    总之,设输入电压为E,则VBE1仅增加E/2,VBE2仅减少E/2(VBE1与VBE2之差为E)。

                   
   
    如果发射极电位Ve祓固定,虽然输入信号全部加在输入晶体管的基极一发射极之间,但一个晶体管的V BE -发生变化,则如同看镜子一样,另一个晶体管的VBE也以相同的值朝反方向变化。所以V BE间电压差刚好与输入信号为同一值。所以电路取得平衡。
    照片11.8是在照片11.2的输入状态(VI1=50mVP-P,VI2=OV)时的输入信号uI1与发射极电位训。的工作波形(只对交流成分进行观测),VBE1与VBE2都各变化Vil振幅的1/2,所以vE的电位,如以GND为基准来看,则刚好为Vil的一半的大小。
    因此,对于一方晶体管而言,VBE的变化量为输入信号的一半。所以电压增益也为一个晶体管作为共发射极电路使用时的
1/2。

相关技术资料
5-16对电压增益的讨论

热门点击

 

推荐技术资料

频谱仪的解调功能
    现代频谱仪在跟踪源模式下也可以使用Maker和△Mak... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!