该电路使用的JFET，如果在IDSS档上有AM26LV32EIPWR所希望取的值，则不管哪种都可以。在这里，选择通用N沟JFET、2SK330(东芝)。2SK330的特性表示在表10.1中。

    即使使用P沟的JFET也没有关系，但此时器件的连接方法为图10.17(b)所示，要加以注意。
    接着是IDSS档次的选择。依照误差放大器的共射极电路上流动的集电极电流设定值来选择档次。在图10. 16电路中，共发射极电路的集电极电流设定在ImA以上（设定在比输出晶体管必要的基极电流更大的值），所以IDSS选择在1.2—3.OmA的Y档（参考表10.1的IDSS分类）。
    即使在同一个档中，JFET的IDSS也有分散性。在图10. 16的电路中，共发射极电路的集电极电流即使是1. 2mA或3.2mA，对电路的工作都没有影响，是没有问题的。
    但是，稳流源的电流设定值影响到电路的直流电位和工作点时，就不能使用JFET，而应该使用晶体管的稳流源。
    在该电路中，为了进一步减少输出的残留波纹，在误差放大器上使用的晶体管用^ FE大的超B晶体管2SC3113代替2SC2458即可。由于超p晶体管的h FE大，误差放大器的裸增益变大，所以残骼波纹进一步减少。