有关y线辐照效应
发布时间:2012/4/28 20:05:31 访问次数:882
(1) GaAs晶体的辐照损伤
高剂量的放射线辐FMU22U照会引起GaAs FET特性变化，用GaAs晶体的损伤可以作为证明，进一步讨论如下：
①辐照使晶体产生缺陷，由它形成的陷阱捕获n型载流子，造成载流子浓度降低。
②随之而来的离子化漫散射和复合中心的产生，多数载流子迁移率下降。
③伴随有源层和衬底界面附近生成的晶体缺陷，对有源层电位的影响等，带来正向传输电导，阈值电压等直流特性和增益，噪声系数等交流特性的变化。这些特性的变化，从等效电路也能得到某种程度的分析。这些辐照损伤，与晶体有源层的载流子浓度、掺杂类型、辐照电平、有源层与衬底的屏蔽等都有关系。为提高器件的可靠性，应把器件结构和晶体质量作为点，一并加以研究，同时积累必要的数据作为设计依据。
(2)欧姆电极的辐照损伤
欧姆电极的辐照损伤首先表现在欧姆电阻的变化。欧姆电阻一般由接触电阻，晶体电阻p，残留寄生电阻R。等组成。p的变化能用前述的和单晶辐照损伤相同的方法来进行考虑。用y射线辐照后欧姆接触性能改善了，但当照射量增加后又开始劣化。有关R。的劣化，把GaAs/Au，Ge/Ni/Au的欧姆形成层的层间扩散等在一起考虑是必要的。
其次是辐照气氛的影响。为了研究欧姆电极的层间扩散，照射前用俄歇分析，将AulNi／AuGe三层彻底分开，并把该样片置于湿空气Ail，02 -HzO，N2 /02 -H20，干O：，干N。/02，H。O等气氛中，用7射线进行辐照，然后进行表面状态的观察和俄歇分析。结果表明，由于O。和N。/02中含有水分，促使了欧姆电极的损伤。
高剂量的放射线辐FMU22U照会引起GaAs FET特性变化，用GaAs晶体的损伤可以作为证明，进一步讨论如下：
①辐照使晶体产生缺陷，由它形成的陷阱捕获n型载流子，造成载流子浓度降低。
②随之而来的离子化漫散射和复合中心的产生，多数载流子迁移率下降。
③伴随有源层和衬底界面附近生成的晶体缺陷，对有源层电位的影响等，带来正向传输电导，阈值电压等直流特性和增益，噪声系数等交流特性的变化。这些特性的变化，从等效电路也能得到某种程度的分析。这些辐照损伤，与晶体有源层的载流子浓度、掺杂类型、辐照电平、有源层与衬底的屏蔽等都有关系。为提高器件的可靠性，应把器件结构和晶体质量作为点，一并加以研究，同时积累必要的数据作为设计依据。
(2)欧姆电极的辐照损伤
欧姆电极的辐照损伤首先表现在欧姆电阻的变化。欧姆电阻一般由接触电阻，晶体电阻p，残留寄生电阻R。等组成。p的变化能用前述的和单晶辐照损伤相同的方法来进行考虑。用y射线辐照后欧姆接触性能改善了，但当照射量增加后又开始劣化。有关R。的劣化，把GaAs/Au，Ge/Ni/Au的欧姆形成层的层间扩散等在一起考虑是必要的。
其次是辐照气氛的影响。为了研究欧姆电极的层间扩散，照射前用俄歇分析，将AulNi／AuGe三层彻底分开，并把该样片置于湿空气Ail，02 -HzO，N2 /02 -H20，干O：，干N。/02，H。O等气氛中，用7射线进行辐照，然后进行表面状态的观察和俄歇分析。结果表明，由于O。和N。/02中含有水分，促使了欧姆电极的损伤。
(1) GaAs晶体的辐照损伤
高剂量的放射线辐FMU22U照会引起GaAs FET特性变化，用GaAs晶体的损伤可以作为证明，进一步讨论如下：
①辐照使晶体产生缺陷，由它形成的陷阱捕获n型载流子，造成载流子浓度降低。
②随之而来的离子化漫散射和复合中心的产生，多数载流子迁移率下降。
③伴随有源层和衬底界面附近生成的晶体缺陷，对有源层电位的影响等，带来正向传输电导，阈值电压等直流特性和增益，噪声系数等交流特性的变化。这些特性的变化，从等效电路也能得到某种程度的分析。这些辐照损伤，与晶体有源层的载流子浓度、掺杂类型、辐照电平、有源层与衬底的屏蔽等都有关系。为提高器件的可靠性，应把器件结构和晶体质量作为点，一并加以研究，同时积累必要的数据作为设计依据。
(2)欧姆电极的辐照损伤
欧姆电极的辐照损伤首先表现在欧姆电阻的变化。欧姆电阻一般由接触电阻，晶体电阻p，残留寄生电阻R。等组成。p的变化能用前述的和单晶辐照损伤相同的方法来进行考虑。用y射线辐照后欧姆接触性能改善了，但当照射量增加后又开始劣化。有关R。的劣化，把GaAs/Au，Ge/Ni/Au的欧姆形成层的层间扩散等在一起考虑是必要的。
其次是辐照气氛的影响。为了研究欧姆电极的层间扩散，照射前用俄歇分析，将AulNi／AuGe三层彻底分开，并把该样片置于湿空气Ail，02 -HzO，N2 /02 -H20，干O：，干N。/02，H。O等气氛中，用7射线进行辐照，然后进行表面状态的观察和俄歇分析。结果表明，由于O。和N。/02中含有水分，促使了欧姆电极的损伤。
高剂量的放射线辐FMU22U照会引起GaAs FET特性变化，用GaAs晶体的损伤可以作为证明，进一步讨论如下：
①辐照使晶体产生缺陷，由它形成的陷阱捕获n型载流子，造成载流子浓度降低。
②随之而来的离子化漫散射和复合中心的产生，多数载流子迁移率下降。
③伴随有源层和衬底界面附近生成的晶体缺陷，对有源层电位的影响等，带来正向传输电导，阈值电压等直流特性和增益，噪声系数等交流特性的变化。这些特性的变化，从等效电路也能得到某种程度的分析。这些辐照损伤，与晶体有源层的载流子浓度、掺杂类型、辐照电平、有源层与衬底的屏蔽等都有关系。为提高器件的可靠性，应把器件结构和晶体质量作为点，一并加以研究，同时积累必要的数据作为设计依据。
(2)欧姆电极的辐照损伤
欧姆电极的辐照损伤首先表现在欧姆电阻的变化。欧姆电阻一般由接触电阻，晶体电阻p，残留寄生电阻R。等组成。p的变化能用前述的和单晶辐照损伤相同的方法来进行考虑。用y射线辐照后欧姆接触性能改善了，但当照射量增加后又开始劣化。有关R。的劣化，把GaAs/Au，Ge/Ni/Au的欧姆形成层的层间扩散等在一起考虑是必要的。
其次是辐照气氛的影响。为了研究欧姆电极的层间扩散，照射前用俄歇分析，将AulNi／AuGe三层彻底分开，并把该样片置于湿空气Ail，02 -HzO，N2 /02 -H20，干O：，干N。/02，H。O等气氛中，用7射线进行辐照，然后进行表面状态的观察和俄歇分析。结果表明，由于O。和N。/02中含有水分，促使了欧姆电极的损伤。
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