电源和地线要通畅，要能承受足够的电流容量
发布时间:2012/4/23 19:48:18 访问次数:853
为了保证电源和地线的足HX6810-A05MLAG够通畅，要有足够的宽度，以承受足够的电流容量。此外，电源和地线的布局还要注意如下问题：
①衬底为N型材料时，芯片四周要尽可能用V DD包围起来。若为P型衬底，则四周要用V ss包围起来。VDD和Vss的宽度约为20弘m。管芯四周用固定电位包围，以抗外界的干扰信号。
②多加电源和地的接触孔，并尽可能加大接触面积，以降低衬底电阻。
③P阱CMOS中接VDD的孔要尽可能安排得离阱近一些，而接Vss的孔要尽可能安排在阱的所有边缘上，以形成多数截流子的保护环。同时，尽量使V DD和V ss的接触孔的长边相互平行。
①衬底为N型材料时，芯片四周要尽可能用V DD包围起来。若为P型衬底，则四周要用V ss包围起来。VDD和Vss的宽度约为20弘m。管芯四周用固定电位包围，以抗外界的干扰信号。
②多加电源和地的接触孔，并尽可能加大接触面积，以降低衬底电阻。
③P阱CMOS中接VDD的孔要尽可能安排得离阱近一些，而接Vss的孔要尽可能安排在阱的所有边缘上，以形成多数截流子的保护环。同时，尽量使V DD和V ss的接触孔的长边相互平行。
为了保证电源和地线的足HX6810-A05MLAG够通畅，要有足够的宽度，以承受足够的电流容量。此外，电源和地线的布局还要注意如下问题：
①衬底为N型材料时，芯片四周要尽可能用V DD包围起来。若为P型衬底，则四周要用V ss包围起来。VDD和Vss的宽度约为20弘m。管芯四周用固定电位包围，以抗外界的干扰信号。
②多加电源和地的接触孔，并尽可能加大接触面积，以降低衬底电阻。
③P阱CMOS中接VDD的孔要尽可能安排得离阱近一些，而接Vss的孔要尽可能安排在阱的所有边缘上，以形成多数截流子的保护环。同时，尽量使V DD和V ss的接触孔的长边相互平行。
①衬底为N型材料时，芯片四周要尽可能用V DD包围起来。若为P型衬底，则四周要用V ss包围起来。VDD和Vss的宽度约为20弘m。管芯四周用固定电位包围，以抗外界的干扰信号。
②多加电源和地的接触孔，并尽可能加大接触面积，以降低衬底电阻。
③P阱CMOS中接VDD的孔要尽可能安排得离阱近一些，而接Vss的孔要尽可能安排在阱的所有边缘上，以形成多数截流子的保护环。同时，尽量使V DD和V ss的接触孔的长边相互平行。
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