用于混合信号和RF集成电路的ESD结构
发布时间:2012/4/22 16:50:52 访问次数:733
在混合信号和RF应用领域,ESD保护HL2606电路的设计更具有挑战性。对于混合信号集成电路来说,由于在芯片上的不同电路模块通常具有不同的性能,而且通常使用不同的电源电压,从1. 8V到50V甚至高。设计师需要选择不同的ESD结构,以优化整个芯片的ESD性能。在绝大多数情况下,普适的ESD保护结构并不存在。在RF和VDSM lC ESD保护设计中的主要挑战来自于ESD网络和核心IC电路保护的本身的相互影响。ESD设计时首先要求芯片尺寸小,再次就是ESD诱导的寄生效应(即RC延迟和噪声)尽可能小。需要注意的是,对于不同的工艺,ESD并不是通用的,即使采用同一种工艺,不同的产品系列所采用的结构也是不同的。成功的ESD设计,需要采用定制的手段,采用具体的优化。
在混合信号和RF应用领域,ESD保护HL2606电路的设计更具有挑战性。对于混合信号集成电路来说,由于在芯片上的不同电路模块通常具有不同的性能,而且通常使用不同的电源电压,从1. 8V到50V甚至高。设计师需要选择不同的ESD结构,以优化整个芯片的ESD性能。在绝大多数情况下,普适的ESD保护结构并不存在。在RF和VDSM lC ESD保护设计中的主要挑战来自于ESD网络和核心IC电路保护的本身的相互影响。ESD设计时首先要求芯片尺寸小,再次就是ESD诱导的寄生效应(即RC延迟和噪声)尽可能小。需要注意的是,对于不同的工艺,ESD并不是通用的,即使采用同一种工艺,不同的产品系列所采用的结构也是不同的。成功的ESD设计,需要采用定制的手段,采用具体的优化。
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