输入阻抗
发布时间:2012/3/4 15:55:44 访问次数:1221
理想的比较器的输入阻抗为无穷大，因此，理论上对输入信号不产生影响。而实际上比较器的输入阻抗不可能做到无穷大，输入端有电流经过信号源内阻并流入比较器内部，从而产生额外的压差。偏置电流(IBIAS)定义为两个比较器输入电流的中值，用于衡量输入阻抗的影响。例如，MAX917、MAX9117系列比较器在整个工作温度范围内的最大偏置电流仅为2nA，室温下（TA=+25℃）偏置电流低于InA。 A777
输入电压
随着低电压应用的普及，为进一步优化比较器的工作电压范围，一些公司（如MAXIM公司）利用NPN管与PNP管相并联的结构作为比较器的输入级，从而使比较器的输入电压得以扩展，可以比电源电压高出250mV，达到了所谓的超电源摆幅标准，这种比较器的输入端允许有较大的共模电压。
比较器输出
由于比较器仅有两个不同的输出状态，零电平或电源电压，具有满电源摆幅特性的比较器输出级为射极跟随器，达使得其输出信号与电源摆幅之间仅有极小的压差。该压差取决于比较器内部晶体管饱和状态下的集电极与发射极之间的电压。CMOS满摆幅比较器的输出电压取决于饱和状态下的MOSFET。与双极型晶体管结构相比，在轻载情况下电压更接近电源电压。
输出延迟时间A777
输出延迟时间是选择比较器的关键参数，延迟时间包括信号通过元器件产生的传输延时和信号的上升时间与下降时间。对于高速比较器，如MAX961、MAX9010～MAX9013，其延迟时间的典型值分别达到4. Sns和Sns，上升时间为2.3ns和3ns（注意：传输延时的测量包含了上升时间）。设计时需注意不同因素对延迟时间的影响，其中包括温度、容性负载、输入过驱动等因素。对于反相输入，传输延时用TPD-表示；对于同相输入，传输延时用TPD+表示。tPD+与TPD-之差称为偏差。电源电压对传输延时也有较大影响。
输入电压
随着低电压应用的普及，为进一步优化比较器的工作电压范围，一些公司（如MAXIM公司）利用NPN管与PNP管相并联的结构作为比较器的输入级，从而使比较器的输入电压得以扩展，可以比电源电压高出250mV，达到了所谓的超电源摆幅标准，这种比较器的输入端允许有较大的共模电压。
比较器输出
由于比较器仅有两个不同的输出状态，零电平或电源电压，具有满电源摆幅特性的比较器输出级为射极跟随器，达使得其输出信号与电源摆幅之间仅有极小的压差。该压差取决于比较器内部晶体管饱和状态下的集电极与发射极之间的电压。CMOS满摆幅比较器的输出电压取决于饱和状态下的MOSFET。与双极型晶体管结构相比，在轻载情况下电压更接近电源电压。
输出延迟时间A777
输出延迟时间是选择比较器的关键参数，延迟时间包括信号通过元器件产生的传输延时和信号的上升时间与下降时间。对于高速比较器，如MAX961、MAX9010～MAX9013，其延迟时间的典型值分别达到4. Sns和Sns，上升时间为2.3ns和3ns（注意：传输延时的测量包含了上升时间）。设计时需注意不同因素对延迟时间的影响，其中包括温度、容性负载、输入过驱动等因素。对于反相输入，传输延时用TPD-表示；对于同相输入，传输延时用TPD+表示。tPD+与TPD-之差称为偏差。电源电压对传输延时也有较大影响。
理想的比较器的输入阻抗为无穷大，因此，理论上对输入信号不产生影响。而实际上比较器的输入阻抗不可能做到无穷大，输入端有电流经过信号源内阻并流入比较器内部，从而产生额外的压差。偏置电流(IBIAS)定义为两个比较器输入电流的中值，用于衡量输入阻抗的影响。例如，MAX917、MAX9117系列比较器在整个工作温度范围内的最大偏置电流仅为2nA，室温下（TA=+25℃）偏置电流低于InA。 A777
输入电压
随着低电压应用的普及，为进一步优化比较器的工作电压范围，一些公司（如MAXIM公司）利用NPN管与PNP管相并联的结构作为比较器的输入级，从而使比较器的输入电压得以扩展，可以比电源电压高出250mV，达到了所谓的超电源摆幅标准，这种比较器的输入端允许有较大的共模电压。
比较器输出
由于比较器仅有两个不同的输出状态，零电平或电源电压，具有满电源摆幅特性的比较器输出级为射极跟随器，达使得其输出信号与电源摆幅之间仅有极小的压差。该压差取决于比较器内部晶体管饱和状态下的集电极与发射极之间的电压。CMOS满摆幅比较器的输出电压取决于饱和状态下的MOSFET。与双极型晶体管结构相比，在轻载情况下电压更接近电源电压。
输出延迟时间A777
输出延迟时间是选择比较器的关键参数，延迟时间包括信号通过元器件产生的传输延时和信号的上升时间与下降时间。对于高速比较器，如MAX961、MAX9010～MAX9013，其延迟时间的典型值分别达到4. Sns和Sns，上升时间为2.3ns和3ns（注意：传输延时的测量包含了上升时间）。设计时需注意不同因素对延迟时间的影响，其中包括温度、容性负载、输入过驱动等因素。对于反相输入，传输延时用TPD-表示；对于同相输入，传输延时用TPD+表示。tPD+与TPD-之差称为偏差。电源电压对传输延时也有较大影响。
输入电压
随着低电压应用的普及，为进一步优化比较器的工作电压范围，一些公司（如MAXIM公司）利用NPN管与PNP管相并联的结构作为比较器的输入级，从而使比较器的输入电压得以扩展，可以比电源电压高出250mV，达到了所谓的超电源摆幅标准，这种比较器的输入端允许有较大的共模电压。
比较器输出
由于比较器仅有两个不同的输出状态，零电平或电源电压，具有满电源摆幅特性的比较器输出级为射极跟随器，达使得其输出信号与电源摆幅之间仅有极小的压差。该压差取决于比较器内部晶体管饱和状态下的集电极与发射极之间的电压。CMOS满摆幅比较器的输出电压取决于饱和状态下的MOSFET。与双极型晶体管结构相比，在轻载情况下电压更接近电源电压。
输出延迟时间A777
输出延迟时间是选择比较器的关键参数，延迟时间包括信号通过元器件产生的传输延时和信号的上升时间与下降时间。对于高速比较器，如MAX961、MAX9010～MAX9013，其延迟时间的典型值分别达到4. Sns和Sns，上升时间为2.3ns和3ns（注意：传输延时的测量包含了上升时间）。设计时需注意不同因素对延迟时间的影响，其中包括温度、容性负载、输入过驱动等因素。对于反相输入，传输延时用TPD-表示；对于同相输入，传输延时用TPD+表示。tPD+与TPD-之差称为偏差。电源电压对传输延时也有较大影响。
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