休眠模式的使用
发布时间:2012/2/19 18:04:50 访问次数:2266
休眠模式是最常用且最灵活的模式。通常，唤醒时间非常短，需要的开销极小，甚至不需要开销即可进入和退出此模式。因此，对于需要短休眠时间和快速唤醒及处理的应用而言，这是最佳低功耗模式。休眠通常用于具有以下特性的应用：
·循环时间短，需要频繁唤醒（通常低于Is）； A44L-0001-0165150B
·需要外设唤醒源；
·休眠时使用ADC或比较器执行模拟采样。
在深度休眠模式下，不会对CPU和除RTCC、DSWDT和LCD（在LCD器件上）之外的所有外设供电。此外，深度休眠还会关闭闪存、SRAM和电压监视电路的电源。这让深度休眠模式的功耗可以比所有其他工作模式都低。在大多数器件上，典型的深度休眠电流都低于50nA。在DSGPR×寄存器中会保存4字节的数据，用于保存应用所需的一些关键数据。
处于深度休眠模式时，I/O引脚和32kHz晶振(Timerl/SOSC)的状态会保持不变，所以深度休眠模式不会中断应用操作。RTCC中断、超低功率唤醒、DSWDT超时、外部中断0（INTO）、MCLR或POR可以将器件从深度休眠中唤醒。在唤醒时，器件会从复位向量处开始继续工作。通过深度休眠模式，器件可以实现可能达到的最低静恋功耗。其代价是在唤醒之后固件必须重新初始化。因此，深度休眠最适合需要很长电池寿命和具有很好休眠时间的应用。
关于深度休眠和如何使用它的更多信息，请参见器件数据手册和器件系列参考手册。
·循环时间短，需要频繁唤醒（通常低于Is）； A44L-0001-0165150B
·需要外设唤醒源；
·休眠时使用ADC或比较器执行模拟采样。
在深度休眠模式下，不会对CPU和除RTCC、DSWDT和LCD（在LCD器件上）之外的所有外设供电。此外，深度休眠还会关闭闪存、SRAM和电压监视电路的电源。这让深度休眠模式的功耗可以比所有其他工作模式都低。在大多数器件上，典型的深度休眠电流都低于50nA。在DSGPR×寄存器中会保存4字节的数据，用于保存应用所需的一些关键数据。
处于深度休眠模式时，I/O引脚和32kHz晶振(Timerl/SOSC)的状态会保持不变，所以深度休眠模式不会中断应用操作。RTCC中断、超低功率唤醒、DSWDT超时、外部中断0（INTO）、MCLR或POR可以将器件从深度休眠中唤醒。在唤醒时，器件会从复位向量处开始继续工作。通过深度休眠模式，器件可以实现可能达到的最低静恋功耗。其代价是在唤醒之后固件必须重新初始化。因此，深度休眠最适合需要很长电池寿命和具有很好休眠时间的应用。
关于深度休眠和如何使用它的更多信息，请参见器件数据手册和器件系列参考手册。
休眠模式是最常用且最灵活的模式。通常，唤醒时间非常短，需要的开销极小，甚至不需要开销即可进入和退出此模式。因此，对于需要短休眠时间和快速唤醒及处理的应用而言，这是最佳低功耗模式。休眠通常用于具有以下特性的应用：
·循环时间短，需要频繁唤醒（通常低于Is）； A44L-0001-0165150B
·需要外设唤醒源；
·休眠时使用ADC或比较器执行模拟采样。
在深度休眠模式下，不会对CPU和除RTCC、DSWDT和LCD（在LCD器件上）之外的所有外设供电。此外，深度休眠还会关闭闪存、SRAM和电压监视电路的电源。这让深度休眠模式的功耗可以比所有其他工作模式都低。在大多数器件上，典型的深度休眠电流都低于50nA。在DSGPR×寄存器中会保存4字节的数据，用于保存应用所需的一些关键数据。
处于深度休眠模式时，I/O引脚和32kHz晶振(Timerl/SOSC)的状态会保持不变，所以深度休眠模式不会中断应用操作。RTCC中断、超低功率唤醒、DSWDT超时、外部中断0（INTO）、MCLR或POR可以将器件从深度休眠中唤醒。在唤醒时，器件会从复位向量处开始继续工作。通过深度休眠模式，器件可以实现可能达到的最低静恋功耗。其代价是在唤醒之后固件必须重新初始化。因此，深度休眠最适合需要很长电池寿命和具有很好休眠时间的应用。
关于深度休眠和如何使用它的更多信息，请参见器件数据手册和器件系列参考手册。
·循环时间短，需要频繁唤醒（通常低于Is）； A44L-0001-0165150B
·需要外设唤醒源；
·休眠时使用ADC或比较器执行模拟采样。
在深度休眠模式下，不会对CPU和除RTCC、DSWDT和LCD（在LCD器件上）之外的所有外设供电。此外，深度休眠还会关闭闪存、SRAM和电压监视电路的电源。这让深度休眠模式的功耗可以比所有其他工作模式都低。在大多数器件上，典型的深度休眠电流都低于50nA。在DSGPR×寄存器中会保存4字节的数据，用于保存应用所需的一些关键数据。
处于深度休眠模式时，I/O引脚和32kHz晶振(Timerl/SOSC)的状态会保持不变，所以深度休眠模式不会中断应用操作。RTCC中断、超低功率唤醒、DSWDT超时、外部中断0（INTO）、MCLR或POR可以将器件从深度休眠中唤醒。在唤醒时，器件会从复位向量处开始继续工作。通过深度休眠模式，器件可以实现可能达到的最低静恋功耗。其代价是在唤醒之后固件必须重新初始化。因此，深度休眠最适合需要很长电池寿命和具有很好休眠时间的应用。
关于深度休眠和如何使用它的更多信息，请参见器件数据手册和器件系列参考手册。
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