图8. 31显示MOSFET放大器的面包板测试工作台。已经有二级放大器安装在面包板上等待测试。电路中的两个2N3797晶体管是由许多个同型号晶体管中挑选出来。
    确认面包板上的电路连接正确无误。

      面包板上电路的测试工作显示在图8.32中，其中每组的测试结果是针对不同晶体管进行的。也就是说，对两个任意挑选出来的2N3797测量得到第一组数据后，再任意挑选两个晶体管替换它们，然后再测量得到第二组数据。加上圆圈的数字可以指出测试时连接到电路的测试点。

              
    解释为什么两组直流电压数据会不同。
    解释为什么两组交流电压数据会不同。
    利用图8.32的测量数据，可以求出每个晶体管的IDSS和gm吗？如果可以，试求出四个不同MOSFET的IDSS和gm。
    利用图8.32的每组测量数据，TB6819FG求出每个单级放大器的电压增益。
    当VDS设定在电源电压12V的中间值6V时，假设借着仔细选择出具有最大gm值和一般IDSS的MOS-FET，FET放大电路可以获得最大电压增益的理论值，则需要多少级FET放大器才能使总电压增益相当于图8.28BJT放大器的最大电压增益？如果输入电路有衰减现象，请记得考虑它的影响。