常用半导体分立器件的一般特点
发布时间:2011/9/22 9:36:52 访问次数:1255
1.二极管 HCF4052BE
按照结构工艺的不同,半导体二极管可以分为点接触型和面接触型。因为点接触型二极管PN结的接触面积小,结电容小,适用于高频电路,但允许通过的电流相承受的反向电压也比较小,所以只适合在检波、变频等电路中使用;面接触型二极管PN结的接触面积大,结电容比较大,不适合在高频电路中使用,但它可以通过较大的电流,多用于频率较低的整流电路。
半导体二极管可以用锗材料或用硅材料制造。锗二极管的正向电阻很小,正向导通电压约为0.2V,但反向漏电流大,温度稳定性较差,如今在大部分场合被肖特基二极管(正向导通电压约为0.2V)取代;硅二极管的反向漏电流比锗二极管小很多,缺点是需要较高的正向电压(约0.5~0.7V)才能导通,只适用于信号较强的电路。
二极管应该按照极性接入电路。大部分情况下,应该使二极管的正极(或称阳极)接电路的高电位端,负极。(或称阴极)接低电位端;而稳压二极管的负极要接电路的高电位端,其正极接电路的低电位端。
在采用国产元器件的电子产品中,常用的检波二极管多为2AP型,常用的整流二极管多为2CP或2CZ型,稳压二极管多为2CW型,开关二极管多为2CK型,变容二极管常用的型号为2CC型。
2.双极型三极管
三极管的种类很多,按照结构工艺分类,有PNP型和NPN型;按照制造材料分类,有锗管和硅管。锗管的导通电压低,更适合在低电压电路中工作,但是硅管的温度特性比锗管稳定,穿透电流Iceo很小。按照工作频率分类,低频管可以用在工作频率为3MHz以下的电路中;高频管的工作频率可以达到几百兆赫甚至更高。按照集电极耗散的功率分类,小功率管的额定功耗在1W以下,而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。
3.场效应晶体管
和普通双极型三极管相比,场效应晶体管有很多特点。从控制作用来看,三极管是电流控制器件,而场效应管是电压控制器件。场效应晶体管栅极的输入电阻非常高,一般可达几百兆赫兹甚至几千兆赫兹,所以对栅极施加电压时,基本上不取电流,这是一般三极管不能与之相比的。另外,场效应管还具有噪声低、动态范围大等优点。场效应晶体管广泛应用于数字电路、通信设备和仪器仪表,已经在很多场合取代了双极型三极管。
场效应晶体管的三个电极分别叫做漏极(D)、源极(S)和栅极(G),可以把它们类比作普通三极管的c、e、b三极,而且D、S极能够互换使用。场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两种。
1.二极管 HCF4052BE
按照结构工艺的不同,半导体二极管可以分为点接触型和面接触型。因为点接触型二极管PN结的接触面积小,结电容小,适用于高频电路,但允许通过的电流相承受的反向电压也比较小,所以只适合在检波、变频等电路中使用;面接触型二极管PN结的接触面积大,结电容比较大,不适合在高频电路中使用,但它可以通过较大的电流,多用于频率较低的整流电路。
半导体二极管可以用锗材料或用硅材料制造。锗二极管的正向电阻很小,正向导通电压约为0.2V,但反向漏电流大,温度稳定性较差,如今在大部分场合被肖特基二极管(正向导通电压约为0.2V)取代;硅二极管的反向漏电流比锗二极管小很多,缺点是需要较高的正向电压(约0.5~0.7V)才能导通,只适用于信号较强的电路。
二极管应该按照极性接入电路。大部分情况下,应该使二极管的正极(或称阳极)接电路的高电位端,负极。(或称阴极)接低电位端;而稳压二极管的负极要接电路的高电位端,其正极接电路的低电位端。
在采用国产元器件的电子产品中,常用的检波二极管多为2AP型,常用的整流二极管多为2CP或2CZ型,稳压二极管多为2CW型,开关二极管多为2CK型,变容二极管常用的型号为2CC型。
2.双极型三极管
三极管的种类很多,按照结构工艺分类,有PNP型和NPN型;按照制造材料分类,有锗管和硅管。锗管的导通电压低,更适合在低电压电路中工作,但是硅管的温度特性比锗管稳定,穿透电流Iceo很小。按照工作频率分类,低频管可以用在工作频率为3MHz以下的电路中;高频管的工作频率可以达到几百兆赫甚至更高。按照集电极耗散的功率分类,小功率管的额定功耗在1W以下,而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。
3.场效应晶体管
和普通双极型三极管相比,场效应晶体管有很多特点。从控制作用来看,三极管是电流控制器件,而场效应管是电压控制器件。场效应晶体管栅极的输入电阻非常高,一般可达几百兆赫兹甚至几千兆赫兹,所以对栅极施加电压时,基本上不取电流,这是一般三极管不能与之相比的。另外,场效应管还具有噪声低、动态范围大等优点。场效应晶体管广泛应用于数字电路、通信设备和仪器仪表,已经在很多场合取代了双极型三极管。
场效应晶体管的三个电极分别叫做漏极(D)、源极(S)和栅极(G),可以把它们类比作普通三极管的c、e、b三极,而且D、S极能够互换使用。场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两种。
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