1．三极管输入特性曲线   RTL8201CP
    图6-23所示是某型号三极管共发射极电路输入特性曲线。图中，x轴为发射结的正向偏置电压大小，对于NPN型三极管而言，这一正向偏置电压用V_BE表示，即基极电压高于发射极电压；对于PNP型三极管而言为V_EB，即发射极电压高于基极电压。y轴为基极电流大小。

               
    从图中可以看出，这一输入特性曲线同二极管的伏安特性曲线十分相似。
    输入特性曲线与集电极和发射极之间的直流电压V_CE大小有关，当V_CE=OV时，曲线在最左侧，这说明有较小的发射结正向电压时，便能有基极电流。当V_CE大到一定程度后，对输入特性的影响就明显减小了。 
    三极管输入特性说明了发射结正向偏置电压与基极电流之间的关系。当V_CE大小一定时，V_BE大，基极电流大；当V_BE大到一定值时，图中是0.6V左右，V_BE只要大一点，基极电流就会增大许多。对于硅三极管而言，V_BE值约为0.6V，对于锗三极管而言为0.1左右。
    不同型号的三极管具有不同的输入特性曲线。

    2．三极管输出特性曲线
    表征三极管电特性的是伏安特性，其中有两介：一是输入特性，二是输出特性，图6-24所示是某型号三极管共发射极电路的输出特性曲线。

                
    三极管的输出特性表示的是在基极电流如大小一定时，输出电压V_CE与输出电流昆之间的关系。从图中可以看出，在不同的毛下，有不同的输出曲线。
    图中，x轴为V_CE大小，y轴为I_C大小。从图中还可以看出三极管的截止区、放大区、饱和区。不同型号三极管有不同的输出特性曲线。