K8P5615UQA 256Mbit (16M×16bit)页模式/多Bank NOR闪速存储器电路的基本特性：

1) 单电压vcc范围为2.7—3.6V（读/写操作电压）；   
2) 结构为16Mbit x16（字模式）；   
3) 快速读存取时间为70ns；   
4) 页模式操作，8字页存取允许快速异步读，页读存取时间为30ns；   
5) 编程/擦除操作时读；   
6) 多Bank体系结构(4Banks)，即
    ①Bank0为32MB(32k字×4和128k字×15)，
    ②Bankl为96MB（128k字×48），
    ③Bank2为96MB（128k字×48），
    ④Bank3为32MB(32k字×4和128k字×15)；
7) 安全码块，额外256字，出厂的128字和用户安全码的128字；
8) 功率消耗（典型值），即
    ①读电流为30mA (5MHz)，
    ②编程/擦除电流为25mA，
    ③编程时读或擦除时读电流为65mA，
    ④待机模式/自动睡眠模式为20μA；
9）支持单、32倍长字快速编程；
10)WP/Vcc榆入引脚，即
    ①在V_IL时允许2个最外层的启动区特殊保护，与块保护状态无关，
    ②在V_IH时删除2个最外层的启动区特殊保护，2个块恢复正常块保护状态，
    ③在V_HH时编程时间在字缓冲区为6μs/字；
11)擦除暂停/恢复；
12)编程暂停/恢复；
13)解锁旁路编程；
14)硬件RESET引脚；
15)控制寄存器操作；
16)支持通用的闪速存储器接口；
17)工业级温度范围为- 40一85℃，扩展温度范围为- 25~ 85℃；
18)100000次编程/擦除周期；
19)10隼数据保留；
20)封装，56引脚的TSOP和84引脚的BGA封装。