K8D1716UBC/K8D1716UTC 16Mbit (2M×8bit/lM×16bit)双Bank NOR闪速存储器电路的基本特性：

1) 单电压Vcc范围为2.7—3.6V（读/写操作电压）；     
 
2) 结构为1048576bit×16bit（字模式）；   
3) 快速读存取时间为70ns；   
4) 编程/擦除操作时读；   
5) 双Bank体系结构为Bankl/Bank2，8Mbit/8Mbit；   
6) 安全码块为额外的64KB块；   
7) 功率消耗（典型值5MHz时），即①读电流为14mA， 
                               ②编程/擦除电流为15mA，   
                               ③编程时读或擦除时读电流为25mA，   
                               ④待机模式/自动睡眠模式为5μA；   
8) WP/Vcc输入引脚，即①在V_IL时允许2个最外层的启动区特殊保护，与块保护状态无关， 
                     ②在V_IH时删除2个最外层的启动区特殊保护，2个块恢复正常块保护状态， 
                     ③在V_HH时编程时间为9μs/字；
9）擦除暂停/恢复；
10)解锁旁路编程；
11)硬件RESET刳脚；
12)控制寄存器操作；
13)块组保护/非保护；
14)支持通用的闪速存储器接口；
15)工业级温度范围为- 40~ 85℃；
16)100000次编程/擦除周期；
17)10年数据保留；
18)封装，48引脚TSOP和48引脚FBGA封装。