AT45DB011是闪速存储器吗？
发布时间:2011/7/12 9:32:25 访问次数:1140
AT45DB011 1Mbit 2.7V数据闪速存储器电路的基本特性：
1) 单2.7~3. 6V的电压；
2) 串行外设接口( SPI)兼容；
3) 13MHz的最大时钟频率；
4) 页程序操作，单周期再编程（擦除和程序），512页（264B/页）主存储器；
5) 文持页和块擦除操作；
6) 1个264B SRAM数据缓冲器，允许接收数据，当非易失性存储再编程时；
7）快速页程序时间为7ms（典型值）；
8）120 pdA典型的页到缓冲转换时间；
9）低功耗，典型的有效读电流为4mA，典型的CMOS待机电流为2μA；
10)硬件数据保护功能；
11)商业级和工业级温度范围。
AT45DB011 1Mbit 2.7V数据闪速存储器电路的基本特性：
1) 单2.7~3. 6V的电压；
2) 串行外设接口( SPI)兼容；
3) 13MHz的最大时钟频率；
4) 页程序操作，单周期再编程（擦除和程序），512页（264B/页）主存储器；
5) 文持页和块擦除操作；
6) 1个264B SRAM数据缓冲器，允许接收数据，当非易失性存储再编程时；
7）快速页程序时间为7ms（典型值）；
8）120 pdA典型的页到缓冲转换时间；
9）低功耗，典型的有效读电流为4mA，典型的CMOS待机电流为2μA；
10)硬件数据保护功能；
11)商业级和工业级温度范围。
相关技术资料- 7-12AT45DB011是闪速存储器吗？
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