AT26DF041 4Mbit串行固件数据闪速存储器电路的基本特性：

1) 单3．O~3. 6V或2.7—3.6V的电压；    2) 串行外设接口( SPI)兼容；   
3) 33MHz的最大时钟频率；   
4) 字节程序操作；   
5) 页程序操作，单周期再编程（擦除和程序），2048页（256B/页）主存储器；   
6) 支持页和块擦除操作；   
7) 连续读能力通过整个阵列，理想的代码跟踪应用；   
8）低功耗，典型的有效读电流为4mA，典型的CMOS待机电流为2μA；
9）硬件数据保护功能用作顶部64KB的存储器；
10)5.OV容错输入，SI，SCK，CS，RESET和WP引脚；
11)100000程序/擦除周期；
12）数据保存20年。