μPD4482161/μPD4482181/μPD4482321/μPD4482361 8Mbit CMOS同步快速SRAM电路的基本特性：

1) 核心电压V_DD为3.3V或2.5V；
2) 同步操作；
3) 工作温度T_A为0~700C或- 40~ 85℃；
4) 内部自动定时写控制；
5) 突发脉冲读/写，交错脉冲和线性的突发脉冲序列；
6) 所有的寄存器引起正时钟边沿；
7) 所有的输入输出都满足3.3V或2.5V的LVTTL兼容；
8) 快速时钟存取时间，在133MHz时为6.5ns，在117MHz时为7.5ns，在100MHz时为8.5ns；
9) 异步输出使能引脚G；
10)突发脉冲序列选择引脚MODE；
11)睡眠模式zz（开启或低时正常运作）；
12)通用写使能引脚GW；
13)3个使能引脚，易于扩展。