μPD441000L-×是低压电源吗？
发布时间:2011/7/11 15:06:27 访问次数:614
μPD441000L-× 1Mbit CMOS SRAM电路的基本特性：
1) 8位131072B架构；
2) 快速存取时间为70ns、85ns、lOOns、120ns、150ns（最大值）；
3) 低压操作电源：Vcc为2.7~5.5V（B版本）、Vcc为2.2~5.5V（C版本）和Vcc为1.8—5.5V（D版本）；
4) 工作环境温度TA为- 25~ 85℃；
5) 低数据保存电压，B版本为2.OV【最小值），C和D版本为1.5V（最小值）；
6) 2个使能引脚CE1、CE2。
μPD441000L-× 1Mbit CMOS SRAM电路的基本特性：
1) 8位131072B架构；
2) 快速存取时间为70ns、85ns、lOOns、120ns、150ns（最大值）；
3) 低压操作电源：Vcc为2.7~5.5V（B版本）、Vcc为2.2~5.5V（C版本）和Vcc为1.8—5.5V（D版本）；
4) 工作环境温度TA为- 25~ 85℃；
5) 低数据保存电压，B版本为2.OV【最小值），C和D版本为1.5V（最小值）；
6) 2个使能引脚CE1、CE2。
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