μPD44321181/μPD44321361 32Mbit ZEROSBTM SRAM电路的基本特性：

1) 低核心电压V_DD为(3.3±0.165)V或(2.5±0.125)V；
2) 同步操作；
3) 工作温度T_A为O~70C或- 40~85℃：
4) 100%总线利用；
5) 内部自动定时写控制；
6) 突发脉冲读/写，交错脉冲和线性的突发脉冲序列；
7) 所有的寄存器引起正时钟边沿；
8) 所有的输入输出都满足3. 3V或2.5V的LVTTL兼容；
9) 快速时钟存取时间，在117MHz时为7.5ns，在100MHz时为8.5ns：
10)异步输出使能引肿G；
11)突发脉冲序列选择引脚MODE;
12)睡眠模式ZZ（开启或低时正常运作）；
13)3个使能引脚，易于扩展。