igbt是insulated gate bipolar transistor的英文缩写。可以翻译做绝缘栅双极晶体管。

　　igbt是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率mosfet的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压bvdss需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率mosfet具有rds（on）数值高的特征，igbt消除了现有功率mosfet的这些主要缺点。虽然最新一代功率mosfet器件大幅度改进了rds（on）特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比igbt 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低vce（sat）的能力，以及igbt的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化igbt驱动器的原理图。igbt基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。

　　igbt硅片的结构与功率mosfet 的结构十分相似，主要差异是igbt增加了p+ 基片和一个n+ 缓冲层（npt-非穿通-igbt技术没有增加这个部分）。如等效电路图，其中一个mosfet驱动两个双极器件。基片的应用在管体的p+和n+ 区之间创建了一个j1结。

　　igbt是一种功率晶体，运用此种晶体设计之ups可有效提升产品效能，使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。

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