igbt是insulated gate bipolar transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，igbt是由mosfet和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为mosfet，输出极为pnp晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作于几十khz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

　　igbt（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 集电极、发射极间电压（符号：vces）：栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压。

　　igbt（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 栅极发极间电压（符号：vges ）：集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大电压。

　　igbt（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 集电极电流（符号：ic ）：集电极所允许的最大直流电流。

　　igbt（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 耗散功率（符号：pc）：单个igbt所允许的最大耗散功率。

　　igbt（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 结温（符号：tj）：元件连续工作时芯片温厦。

　　igbt（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 关断电流（符号：ices ）：栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。

　　igbt（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 漏电流（符号：iges ）：集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流。

　　igbt（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 饱和压降（符号：v ce（sat） ）：在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集电极、发射极间的电压。

　　igbt（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 输入电容（符号：clss ）：集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时，栅极、发射极间的电容。

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