一般的二极管是利用pn结的单方向导电的特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅（si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（gaas）制作sbd。si-sbd的特点是：正向压降pn结二极管的udf低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10 ns数量级；适用于低电压（小于50 v）的功率电子电路中（当电路电压高于100 v以上时，则要选用piv高的sbd，其正向电阻将增大许多）。此外，sbd是根据漂移现象产生电流的，不会积累，也无须移去多余的载流子，因此也就不存在正向恢复或反向恢复现象。这就是sbd的莎ⅱ很小的缘故。输出电压为4～5v的开关转换可以选用piv为25 v或45 v的si－sbd。例如1n6492、ln639l、1n6392等。sbd的缺点是：反向漏电流比普通二极管大得多，如图1所示的二极管伏安特性比较。这是因为si－sbd的结电容较大的缘故，如usd45型si－sbd的结电容约为4700 pf，而ufrd的结电容仅为5～150 pf，gaas－sbd的结电容也只有100～500 pf。

图1 二极管伏安特性的比较

　　有关各种快速开关二极管的参数见表1～表3c。

　　表1 几种典型功率二极管的主要参数

　　表2 si-sbd和ufrd参数级别的比较（1级最高）

　　表3 ufrd和si-sbd、gaas－sbd的主要参数

　　gaas-sbd的反向恢复时间不大于10ns。适用于高频、高速动作的电路及电压稍高的电路，现已经实用化。例如，日本生产的gaas－sbd，其参数规格有：2.5～7 a，150～180 v（uf＝0.9 v，trr＝7～10 ns，ir＝1～3ma），以及ia，350 v（uf＝1.5 v，trr＝5 ns，ir＝1 ma）。

　　此外，gaas－sbd的其他特点还有：开关噪声小，温度稳定性好（结温可达－ 40～150℃）。

　　如图6所示为gaas－sbd（piv＝180 v）、si－sbd（piv＝90v）与frd（piv＝200 v）三种功率开关二极管的反向恢复过程中电流波形的比较。由图可知，与后两种二极管比较gaas－sbd的反向恢复时间短，反向电流峰值小。

　　图6 三种功率开关二极管电流反向恢复过程的波形zd＝r（t）比较

　　表1是各种典型功率（整流）二极管的主要参数比较表。表2及表3比较了

　　u_frd、si-s_bd和g_aa_s-s_bd的参数。在表3中di/dr＝100 a/_pts，f＝100 khz。

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