扩散的过程有很多限制。扩散只能在wafer表面进行，限制了能制造的几何图案。杂质扩散不均衡，所以最终的diffusion没有稳定的掺杂特性。接下来的高温过程继续drive先前沉积的杂质，所以在这个过程中太早形成的结在后面的步骤里被driven的更深了。杂质扩散到氧化层窗口边缘以下，扩大了diffusion的图案。由于隔离机制，diffusion和氧化互相作用，结果形成耗尽区或加强表面掺杂程度。diffusion之间甚至相互作用，因为一种掺杂的存在会影响其他的扩散速度。这些和其他复杂的因素使扩散过程远比它起初看起来的复杂的多。