由于传统扩散技术的限制性，现代工艺大量使用了离子注入。 离子注入机是一种特殊的粒子加速器，用来加速杂质原子，使他们能穿透硅晶体到达几微米的深度。（16 注入深度和注入能量有关。 本节讨论的注入涉及到的能量不超过几百kev。一些现代cmos工艺使用multi-mev注入来达到更深的地方（5－10μm））。离子注入不需要高温，所以一层光刻胶也能作为注入杂质的mask。注入比传统的沉积扩散有更好的杂质浓度和特性控制。但，大注入也需要相应的长注入时间。离子注入机是很复杂且昂贵的器件。许多工艺使用扩散和注入结合的方法降低总的成本。