扩散相关知识介绍
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:375
杂质原子穿越硅结构的热扩散方式和载流子扩散的方式非常相似（节1.1.3）。由于较重的杂质原子和晶体结构结合的更牢固，所以为了获得适当的扩散率需要800℃到1250℃的高温。一旦杂质进入预期的节深度，wafer就要冷却下来，杂质原子也被固定到晶体结构中。用这种方法形成的掺杂区域叫做diffusion。
通常制作一个diffusion包括两个步骤：首先是沉积（或预沉积），然后是drive（或drive-in）。沉积指加热wafer，让它和外部的杂质原子源接触。其中的一些从源扩散到硅wafer的表面形成一浅层重掺杂区。然后移开外部杂质源，wafer被加热到一个更高的温度并保持一段时间。在沉积过程中引入的杂质向下运动，形成更深的但浓度降低的diffusion。如果要制作掺杂非常重的结，就不需要从wafer旁移开杂质源，沉积和接下来的drive就能合并成一个步骤。
杂质原子穿越硅结构的热扩散方式和载流子扩散的方式非常相似（节1.1.3）。由于较重的杂质原子和晶体结构结合的更牢固，所以为了获得适当的扩散率需要800℃到1250℃的高温。一旦杂质进入预期的节深度，wafer就要冷却下来，杂质原子也被固定到晶体结构中。用这种方法形成的掺杂区域叫做diffusion。
通常制作一个diffusion包括两个步骤：首先是沉积（或预沉积），然后是drive（或drive-in）。沉积指加热wafer，让它和外部的杂质原子源接触。其中的一些从源扩散到硅wafer的表面形成一浅层重掺杂区。然后移开外部杂质源，wafer被加热到一个更高的温度并保持一段时间。在沉积过程中引入的杂质向下运动，形成更深的但浓度降低的diffusion。如果要制作掺杂非常重的结，就不需要从wafer旁移开杂质源，沉积和接下来的drive就能合并成一个步骤。
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