离散二极管和晶体管能在晶体生长的时候在硅ingot里形成结而生产出来。假设硅ingot开始的时候是p型晶体。经过短暂的生长后，通过加入控制量的磷melt被反向掺杂。继续的晶体生长会产生一个嵌入ingot的pn结。连续的反掺杂能在晶体里产生多个结，这样就能生产grown-junction晶体管。集成电路不能生长出来，因为没办法在不同的wafer区生产不同的掺杂区。即使生产简单的grown-junction晶体管都很困难，因为grown junction的厚度和planarity很难控制。每个反掺杂也提升了总的掺杂浓度。硅的一些特性（比如少数载流子lifetime）和总掺杂浓度有关，而不是超过另一种杂质的过剩量。因为反复的counterdoping降低了硅的电特性。