称为硅的本地氧化（locos）的技术能实现厚氧化层选择性生长。（8 “locus: a new i.c. technology,” microelectronics and reliability, vol. 10,1971, pp.471-472）这个工艺开始于薄pad oxide的生长，它能保护硅表面不受接下来的机械压力影响。（图2.14）。化学气相沉积在pad oxide的顶部产生一层氮化膜。这个氮化物被蚀刻后使该区域选择性的氧化。氮化物阻碍了氧和水分子的扩散，所以只在氮化物开口处有氧化。有些氧化剂能扩散到氮化物边缘下的一小段距离，产生了一个弯曲的过渡区域，叫做bird’s beak。（9 e.bassous, h.n.yu, and v.maniscalco, “topology of silicon structures with recessed sio2,” j.electrochem. soc, vol. 123, #11,1976, pp.1729-1737.）一旦氧化结束，氮化层就被洗掉露出蚀刻后的氧化物。