看一下图2.11中的wafer。平坦的硅表面已经被氧化，蚀刻后形成一系列氧化层开口（图2.11a）。经过对蚀刻后的wafer热氧化形成图2.11b所示的截面图。原先去除氧化层留下的开口又快速的氧化，而已经覆盖了一层氧化层的表面氧化起来比较慢。硅表面腐蚀掉大约45％的氧化物厚度的增长。（6 这个值是pilling-bedworth 比例，相当于2.2 的倒数：g.e.anner,planar processing primer (new york: van nostrand reinhold, 1990), p.169.）原来氧化层开口下的硅比周围的硅凹下去更深。在原先氧化层开口的氧化物厚度小于周围表面的厚度，因为周围表面原来就已经有一层氧化层。氧化