氧化物的去除

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:593

图2.8说明了在氧化层上刻出图形的过程。第一步在wafer上生长一薄层氧化物。接下来，滴光刻胶到旋转的wafer上。用烘焙炉去除溶液并使光刻胶变硬。光刻曝光后，用溶液洗掉曝光区域的光刻胶，露出氧化层。留下的光刻胶作为氧化层蚀刻时的mask物质。最后把光刻胶都洗去，留下刻好的氧化层。

图2.8 氧化生长和去除步骤

可以用两种方法来蚀刻。湿蚀刻用溶液洗去氧化物而不是光刻胶或底下的硅。干蚀刻用反应式等离子达到同样的效果。湿蚀刻很简单，但干蚀刻能更好的做到线宽控制。

大多数湿蚀刻用的溶液是氢氟酸（hf）。这是一种很容易溶解二氧化硅的强腐蚀性物质，但它不会影响硅或有机光刻胶。蚀刻过程包括把wafer浸入有氢氟酸溶液的塑料桶里一定的时间，然后把所有的酸都冲洗掉。湿蚀刻是等方性的，因为它垂直和横向的处理速度都是一样的。图2.9a说明了酸在工作时会在光刻胶的边缘下产生sloping sidewalls。由于为了保证要有足够的时间使得所有的开口的地方都完成，过蚀刻就不可避免了。只要wafer