生成氧化层最简单的方法是在有氧环境下加热硅wafer。如果用纯净的干氧气，最终的氧化膜叫做干氧化层。图2.7 是一种典型的氧化设备。wafer被装在叫做wafer 船的fused sillica架子上。wafer 船被慢慢的送入电加热覆盖物包裹着的fused silica管中。随着wafer船进入加热区的中央，wafer的温度慢慢升高。氧气进入管子吹过每一个wafer的表面。在升高的温度后，氧分子最终穿过氧化层扩散到底下的硅。氧和硅反应，氧化层渐渐的更厚了。随着氧化层的增厚，氧扩散的速度越来越慢，所以生长速度随着时间降低。如表2.1所示，高温能加速氧化层的生长。晶体方向也会影响氧化速度，（111）硅氧化速度比（100）硅大的多（1 w.r.runyan和k.e.bean, semiconductor integrated circuit processing technology (reading, ma:addison-wesley,1994), p.84ff.）一旦氧化层达到需要的厚度（随着时间和温度测量），wafer就慢慢的从炉子里退出来。