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新的硅片清洗技术

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:317

a.新清洗液的开发使用
1）.apm清洗
a. 为抑制sc-1时表面ra变大，应降低nh4oh组成比，例：
nh4oh：h2o2：h2o = 0.05：1：1
当ra = 0.2nm的硅片清洗后其值不变，在apm洗后的d1w漂洗应在低温下进行。

a.新清洗液的开发使用
1）.apm清洗
a. 为抑制sc-1时表面ra变大，应降低nh4oh组成比，例：
nh4oh：h2o2：h2o = 0.05：1：1
当ra = 0.2nm的硅片清洗后其值不变，在apm洗后的d1w漂洗应在低温下进行。

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