21世纪硅微电子技术展望
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:387
（王阳元 院士）
微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺寸不断缩小，从而集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高。21世纪，微电子技术仍将以尺寸不断缩小的硅基cmos工艺技术为主流。尽管微电子学在化合物半导体和其它新材料方面的研究及在某些领域的应用取得了很大进展，但还远不具备替代硅基工艺的条件。硅集成电路技术发展至今，全世界数以万亿美元计的设备和科技投入，已使硅基工艺形成非常强大的产业能力。同时，长期的科研投入已使人们对硅及其衍生物各种属性的了解达到十分深入、十分透彻的地步，成为自然界100多种元素之最，这是非常宝贵的知识积累。
硅基微电子技术的主要发展方面有三个方面：
一、 继续缩小器件的特征尺寸
所谓特征尺寸是指器件中最小线条宽度对mos器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟通几何长度，是一条工艺线中能加工的最小尺寸，也是设计中采用的最小设计尺寸单位（设计规则），常常作为技术水平的标志。
基于市场竞争，不断提高产品的性能/价格比是微电子技术发展的动力。缩小特征尺寸从而提高集成度是提高产品性能/价格比最有效手段之一。只有特征尺寸缩小了，在同等集成度的条件下，芯片面积才可以做得更小，同等直径的硅片产出量才可以提高。当然，加入硅片直径，同样也可以提高产出量，而集成度的提高不仅可以提高产出量，而且可以使产品的速度、可靠性都得到提高，相应
（王阳元 院士）
微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺寸不断缩小，从而集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高。21世纪，微电子技术仍将以尺寸不断缩小的硅基cmos工艺技术为主流。尽管微电子学在化合物半导体和其它新材料方面的研究及在某些领域的应用取得了很大进展，但还远不具备替代硅基工艺的条件。硅集成电路技术发展至今，全世界数以万亿美元计的设备和科技投入，已使硅基工艺形成非常强大的产业能力。同时，长期的科研投入已使人们对硅及其衍生物各种属性的了解达到十分深入、十分透彻的地步，成为自然界100多种元素之最，这是非常宝贵的知识积累。
硅基微电子技术的主要发展方面有三个方面：
一、 继续缩小器件的特征尺寸
所谓特征尺寸是指器件中最小线条宽度对mos器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟通几何长度，是一条工艺线中能加工的最小尺寸，也是设计中采用的最小设计尺寸单位（设计规则），常常作为技术水平的标志。
基于市场竞争，不断提高产品的性能/价格比是微电子技术发展的动力。缩小特征尺寸从而提高集成度是提高产品性能/价格比最有效手段之一。只有特征尺寸缩小了，在同等集成度的条件下，芯片面积才可以做得更小，同等直径的硅片产出量才可以提高。当然，加入硅片直径，同样也可以提高产出量，而集成度的提高不仅可以提高产出量，而且可以使产品的速度、可靠性都得到提高，相应
上一篇：薄膜的键合应力
上一篇：中国MEMS研究与开发进程
相关技术资料- 6-24NE555定时器运动探测器工作原理
- 6-24高速和精密DAC应用解决方案详解
- 6-24安全嵌入式系统数字控制器应用前景探究
- 6-24双测量空气流量传感器技术参数封装
- 6-24高速、低功耗3D芯片集成技术详解
- 6-24开源GSM + GPS模块原理图和PCB设计
- 6-23MOSFET驱动器和碳化硅（SiC）二极管工作原理
- 6-23PWM-VID和PSI两种控制模式技术应用参数设计
- 6-23高频高功率供电电源芯片应用前景研究
- 6-23 130A、非隔离式、双相降压处理器核心技术介绍
- 6-23Intelli-Module双两相降压MPC22163-130
- 6-23PCI Express（PCIe）7.0标准应用探究
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
