薄膜的键合应力
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:403
当键合硅片的一个硅片（有源层）减薄时，因为厚衬底的应力会释放，所以薄的硅片要进一步变形，如果键合硅片被减到足够的薄，衬底的应力几乎完全释放，薄膜就会在垂直方向再变形。由于薄膜的厚度tf远小于变形区域的直径，所以弹性球模型已经不再适用，可以用均匀负载圆形薄板弯曲模型计算薄膜键合应力。按照键合条件，键合应力又分两种情况：
（1）键合硅片的边沿不能够自由移动，最大应力出现在硅片的边沿处。
（2）键合硅片的边沿可以自由移动，最大应力出现在键合硅片的中心。
薄膜的应力与没有减薄的硅片的厚度无关，说明了衬底的应力几乎完全释放。实验还发现，实际的薄膜应力应该是介于二者中间的某个数值。
当键合硅片的一个硅片（有源层）减薄时，因为厚衬底的应力会释放，所以薄的硅片要进一步变形，如果键合硅片被减到足够的薄，衬底的应力几乎完全释放，薄膜就会在垂直方向再变形。由于薄膜的厚度tf远小于变形区域的直径，所以弹性球模型已经不再适用，可以用均匀负载圆形薄板弯曲模型计算薄膜键合应力。按照键合条件，键合应力又分两种情况：
（1）键合硅片的边沿不能够自由移动，最大应力出现在硅片的边沿处。
（2）键合硅片的边沿可以自由移动，最大应力出现在键合硅片的中心。
薄膜的应力与没有减薄的硅片的厚度无关，说明了衬底的应力几乎完全释放。实验还发现，实际的薄膜应力应该是介于二者中间的某个数值。
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