zetexsemiconductors日前推出zxm n/p 7系列沟道mosfet，提供d类输出级所需的高效率、良好的散热效果及音频复制功能。这些n及p信道器件的额定电压为70v，设有sot223和dpak封装，能在平面电视、5.1环回立体声系统等功率更高的音频应用中实现安全可靠的操作。各款器件皆可适配采用互补性或全n信道mosfet配置的单端及桥接式负载输出级。

据介绍，zxm n/p 7系列mosfet具有更高的漏源电压，相比于60v零件，能为设计人员提供额外空间，适应电源与门振铃的大幅变化。器件的导通电阻甚低，在10v电压下n、p信道器件的导通电阻一般分别只有130mω和160mω，因此可以经常保持低损耗，达到高效率操作和理想的散热效果。

该系列mosfet把低导通电阻rds(on)与快速切换及低闸电荷特性相结合，有助优化输出级效率，在设计完备的电路中效率可达90%以上。这些n信道和p信道器件，在10v操作环境中的关断时间和闸漏极电荷分别为17ns/1.8nc及35ns/3.6nc。

此外，新型mosfet能妥善处理高漏极电流，在单独的场效应管操作中体现最大功率。由于它们对闸驱动的要求较低，因此可在需要更高负载功率的应用中，把场效应管并行设置。n信道器件采用sot223和dpak封装时的最大漏极电流分别为3.8和6.1安培，p信道则分别为3.7和5.7安培。