ONSEMI 双串联 ESD保护二极管
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:488
安森美半导体(on semiconductor)推出 μesd (微型esd) 双串联高性能微型封装静电放电(esd)保护二极管。μesd双串联系列产品专为为电压敏感元件提供双线保护而设计,适于需要最小板面积和低高度的应用,如手机、mp3播放器和便携式游戏系统。
安森美半导体小信号部市场营销主管gary straker表示,“对致力于满足严格的esd标准的设计人员而言,安森美半导体的μesd双器件提供了替代常用多层可变电阻(mlv)的令人注目的方案。μesd双器件可以在小于两个0402 mlv的板面积内保护两条线路,同时具有多种性能优势,包括钳制电压较低、漏电较少、响应时间较短,且能够承受多次esd冲击,而在电气性能上无偏移。”
这些器件设计采用目前市场上最小的3引脚塑料封装来获取最佳的esd抑制性能。μesd双串联可在不足一纳秒内钳制30千伏(kv)esd瞬流(符合iec61000-4-2标准),确保电压敏感元件受到保护。这些器件可将esd脉冲电压钳制至低于7伏特(v),以保护最敏感的系统并减小对电路功能的干扰。
μesd双串联系列的另一特性在于采用超小的sot-723 封装。由于其外形尺寸仅为1.2 mm x 1.2 mm,因此对板面积受限的设计人员而言是理想的选择。由于此封装的高度仅有0.5 mm,设计人员因此能够在不影响功能的同时,实现高度的最小化。这种串联将双线保护集成入一个封装中,可以进一步减小所需的板面积和系统元件数量,从而简化了封装工艺。
这些新型esd保护器件关断状态的漏电电流超低,仅为0.05 毫安(μa),提高电路效率和电池使用寿命,非常适于手持式产品应用。它们的电容较小,仅为35 皮法(pf),适于为数据速率高达10 mb/s的数据线提供保护。
安森美半导体小信号部总经理mamoon rashid说,“由于便携式电子应用的用户接口数量增加,而尺寸减小,因而它们越来越容易受到偶然esd损害的影响。μesd双串联系列产品是安森美半导体与日增长的器件系列中的新成员,专为钳制 esd 瞬流而设计。安森美半导体通过先进的硅设计,并致力于推动封装外壳发展,公司将持续为这一具有挑战性的应用领域开发高性能的解决方案。”
uesd3.3d和uesd5.0d采用sot-723封装,每10,000件的批量单价为0.070美元。
安森美半导体(on semiconductor)推出 μesd (微型esd) 双串联高性能微型封装静电放电(esd)保护二极管。μesd双串联系列产品专为为电压敏感元件提供双线保护而设计,适于需要最小板面积和低高度的应用,如手机、mp3播放器和便携式游戏系统。
安森美半导体小信号部市场营销主管gary straker表示,“对致力于满足严格的esd标准的设计人员而言,安森美半导体的μesd双器件提供了替代常用多层可变电阻(mlv)的令人注目的方案。μesd双器件可以在小于两个0402 mlv的板面积内保护两条线路,同时具有多种性能优势,包括钳制电压较低、漏电较少、响应时间较短,且能够承受多次esd冲击,而在电气性能上无偏移。”
这些器件设计采用目前市场上最小的3引脚塑料封装来获取最佳的esd抑制性能。μesd双串联可在不足一纳秒内钳制30千伏(kv)esd瞬流(符合iec61000-4-2标准),确保电压敏感元件受到保护。这些器件可将esd脉冲电压钳制至低于7伏特(v),以保护最敏感的系统并减小对电路功能的干扰。
μesd双串联系列的另一特性在于采用超小的sot-723 封装。由于其外形尺寸仅为1.2 mm x 1.2 mm,因此对板面积受限的设计人员而言是理想的选择。由于此封装的高度仅有0.5 mm,设计人员因此能够在不影响功能的同时,实现高度的最小化。这种串联将双线保护集成入一个封装中,可以进一步减小所需的板面积和系统元件数量,从而简化了封装工艺。
这些新型esd保护器件关断状态的漏电电流超低,仅为0.05 毫安(μa),提高电路效率和电池使用寿命,非常适于手持式产品应用。它们的电容较小,仅为35 皮法(pf),适于为数据速率高达10 mb/s的数据线提供保护。
安森美半导体小信号部总经理mamoon rashid说,“由于便携式电子应用的用户接口数量增加,而尺寸减小,因而它们越来越容易受到偶然esd损害的影响。μesd双串联系列产品是安森美半导体与日增长的器件系列中的新成员,专为钳制 esd 瞬流而设计。安森美半导体通过先进的硅设计,并致力于推动封装外壳发展,公司将持续为这一具有挑战性的应用领域开发高性能的解决方案。”
uesd3.3d和uesd5.0d采用sot-723封装,每10,000件的批量单价为0.070美元。