arm公司新近发布了其artisan物理ip系列中的armvelocity ddr1和ddr2(1/2)存储器接口，支持tsmc的90纳米通用工艺。arm velocity ddr1/2存储器接口是第一个通过tsmc ip质量安全测试的90纳米、可即量产的ip。

　　tsmc设计服务市场代理总监kuo wu表示：“在我们对ip认证的严格要求下，arm velocity ddr1/2存储器接口在我们的90纳米工艺取得了首次投片成功。”

　　arm 90纳米velocity ddr1/2存储器接口解决方案包括多组可编程odt(on-die termination)和输出驱动阻抗控制(output driver impedance control)，所有的端头在使用arm先进的动态校准器电路的情况下能够获得很高的阻抗精度。这些特性提高了整体信号的完整性，并且加快高速系统设计的开发周期。90纳米velocity ddr1/2存储器接口提供最适宜的解决方案，为需要用到sdram的众多应用(例如主流台式电脑、网络设施和服务器)提供可调整的功耗和性能。这些可用于ddr1和ddr2的双倍数据速度解决方案可以最高达800mbps的数据速度运行，并实现了sdram组建和存储器控制器之间的所有接口。

　　基于tsmc 90纳米工艺的arm velocity ddr1/2存储器接口解决方案现已供货。已授权设计师可在www.arm.com免费下载用于tsmc 90纳米工艺的ddr1/2前端解决方案。ddr后端解决方案可从当地arm销售渠道获得。