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赛灵思推出高性能DSP平台VIRTEX-5 SXT FPGA

发布时间:2008/5/27 0:00:00 访问次数:465

  zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。

  这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 (sot236封装)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(两者均为sot23封装)。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。

  三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧(m?)、100毫欧(m?)和200毫欧(m?),使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关,以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下,上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。





  zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。

  这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 (sot236封装)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(两者均为sot23封装)。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。

  三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧(m?)、100毫欧(m?)和200毫欧(m?),使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关,以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下,上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。





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